SBC857BDW1T1G
SBC857BDW1T1G参数
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 220 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 380mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
SBC857BDW1T1G手册
SBC857BDW1T1G概述
产品概述：SBC857BDW1T1G
SBC857BDW1T1G是一款由ON Semiconductor（安森美）制造的高性能PNP型双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子设备和电路中。其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围使其在多个领域中都具有较高的适用性，比如消费电子、工业控制、汽车电子等。
基本参数
SBC857BDW1T1G的关键参数如下：
- 类型：PNP（双极型晶体管）
- 集电极最大电流 (Ic)：100mA
- 集射极击穿电压 (Vce)：最大值为45V，适合多个中低压应用
- 饱和压降 (Vce_sat)：在集电极电流为5mA和100mA时，最大饱和压降为650mV，有助于提高能效
- 集电极截止电流 (ICBO)：最大值为15nA，显示出其良好的关断特性
- 电流增益 (hFE)：在集电极电流为2mA和5V时，最小值可达到220，表明在小信号放大应用中的高效能
- 最大功率：380mW，适应多种功率需求
- 跃迁频率：高达100MHz，适合高频应用
- 工作温度范围：-55°C至150°C，特别适合极端环境下的操作
封装与安装
SBC857BDW1T1G采用表面贴装型（SMD）封装，封装格式为6-TSSOP，SC-88，或SOT-363。这种小型化的封装设计使其在空间有限的应用中表现出色，同时也简化了自动化贴装和焊接过程，降低了生产成本。
应用领域
SBC857BDW1T1G可以广泛用于多个应用领域，包括但不限于：
消费电子：在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，SBC857BDW1T1G可用于开关电路、信号放大等功能。
工业控制：可用于传感器接口、信号处理、继电器驱动等工业设备中，支持可靠的信号转换和放大。
汽车电子：用于车载电子设备，如电控单元（ECU）、传感器和执行器，提供出色的温度稳定性和电流驱动能力。
通信设备：由于其高频特性，SBC857BDW1T1G可以用于信号处理、无源滤波和放大，适合各种通信设备。
产品优势
广泛的工作温度范围：能够在-55°C到150°C的极端条件下可靠工作，适合苛刻环境下的应用。
小型封装：其紧凑的封装形式降低了PCB空间的占用，便于集成在复杂的电路中。
高电流增益：在微小信号下也能提供高增益，减少对外部放大器的依赖。
低关断电流：在关断状态时几乎无漏电流，有助于提高整体电路的能效。
总结
SBC857BDW1T1G是一款性能优越的PNP双极晶体管，凭借其出色的电气特性、小巧的封装和广泛的应用适用性，成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。在追求高性能、低功耗和高密度集成的市场环境中，SBC857BDW1T1G无疑是一个令人信赖的选择。对于需要高频、低漏电流和宽温度范围的电子应用，选择SBC857BDW1T1G将是一个理智且高效的决策。