NCEP60T12AK 产品实物图片
NCEP60T12AK 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

NCEP60T12AK

商品编码: BM0084284536
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-252-2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 180W 60V 120A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
7703(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.6
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.6
--
100+
¥2
--
1250+
¥1.74
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCEP60T12AK参数

功率(Pd)180W反向传输电容(Crss@Vds)23pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4mΩ@10V,60A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)67nC
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)4nF@30V连续漏极电流(Id)120A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@250uA

NCEP60T12AK手册

NCEP60T12AK概述

NCEP60T12AK 产品概述

概述

NCEP60T12AK 是由新洁能(NCE)公司生产的一款高性能N沟道MOSFET,具有180W的额定功率、60V的耐压以及120A的最大电流。这款器件采用TO-252-2(DPAK)封装,适用于需要高效能和稳定性的功率应用,尤其是在电源管理、高频开关和电动机驱动等领域表现出色。

主要参数

  1. 封装类型:TO-252-2(DPAK)
  2. 最大耗散功率:180W
  3. 最大耐压:60V
  4. 最大持续栅源电流:120A
  5. 热阻(接触接点到环境):适配良好,可降低散热要求

功能特点

  • 高效率:NCEP60T12AK 采用先进的半导体材料,具备较低的导通电阻(R_DS(on)),在开关损耗和导通损耗方面表现优异,有助于提高整体电路的效率。
  • 快速开关速度:该MOSFET具备快速的开关能力,可为高频应用提供良好的响应特性,在开关电源设计中尤为重要。
  • 高电流能力:120A的极大电流能力使其能在高负载条件下可靠工作,适用于大部分工业和消费电子产品的电源管理。
  • 良好的热管理:TO-252-2封装设计允许有效的散热,能够在各类应用中稳定运行,减少由于过热带来的故障风险。

应用场景

NCEP60T12AK 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 电源管理:广泛应用于开关电源(SMPS),能够有效处理电源转换和能效管理。
  2. 电动机控制:在变频器和直流电动机驱动器中使用,为电动机提供高效的电流传输。
  3. LED 驱动:在LED驱动电源设计中,确保高效的功率转换和低热量产生,提高LED光源的使用寿命。
  4. 无线通信:在射频放大器和其他通信设备中的功率放大,能够提供稳定的功率输出。

竞争优势

相较于市场上同类产品,NCEP60T12AK 提供了更优的性能指标和更低的成本,适合于需要提高能效和降低功耗的应用。不仅如此,新洁能在半导体制造领域的丰富经验使其产品在品质和可靠性上均有保障。

结束语

NCEP60T12AK凭借其卓越的技术参数和可靠的性能,成为现代电子设计中不可或缺的基本元件。其合理的封装设计和高导电能力使其在众多应用场景下都有着出色的表现,尤其是在高负载和高效能的需求日益增长的今天,这款MOSFET将为广大工程师和设计师提供更加丰富的设计选项。随着电子产品日益向高效能、低能耗方向发展,NCEP60T12AK将继续在业界的竞争中脱颖而出。