功率(Pd) | 180W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 23pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V,60A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 67nC |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 4nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 120A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA |
NCEP60T12AK 是由新洁能(NCE)公司生产的一款高性能N沟道MOSFET,具有180W的额定功率、60V的耐压以及120A的最大电流。这款器件采用TO-252-2(DPAK)封装,适用于需要高效能和稳定性的功率应用,尤其是在电源管理、高频开关和电动机驱动等领域表现出色。
NCEP60T12AK 适用于多种应用场景,包括但不限于:
相较于市场上同类产品,NCEP60T12AK 提供了更优的性能指标和更低的成本,适合于需要提高能效和降低功耗的应用。不仅如此,新洁能在半导体制造领域的丰富经验使其产品在品质和可靠性上均有保障。
NCEP60T12AK凭借其卓越的技术参数和可靠的性能,成为现代电子设计中不可或缺的基本元件。其合理的封装设计和高导电能力使其在众多应用场景下都有着出色的表现,尤其是在高负载和高效能的需求日益增长的今天,这款MOSFET将为广大工程师和设计师提供更加丰富的设计选项。随着电子产品日益向高效能、低能耗方向发展,NCEP60T12AK将继续在业界的竞争中脱颖而出。