驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.9V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 200mA,350mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 150ns,50ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 供应商器件封装 | 8-PDIP |
IR2108PBF 是由英飞凌(Infineon)推出的一款高性能半桥驱动器集成电路(IC),专为驱动IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和N沟道MOSFET等功率半导体器件而设计。该驱动器能够在寄生电容较大的应用中提供卓越的驱动性能,广泛应用于电机驱动、变频器、开关电源以及高压开关应用等领域。
IR2108PBF的主要技术参数如下:
高可靠性与耐用性:凭借出色的热性能和可靠的电气参数,IR2108PBF经过优化,可在恶劣环境中持续工作。
灵活的设计选择:虽然IR2108PBF在封装上提供PDIP-8选项,但也可根据不同需求选择8 Lead SOIC、14 Lead SOIC及14 Lead PDIP封装,为设计提供了极大的灵活性。
高效驱动能力:高达350mA的拉出电流确保了快速且稳定的开关操作,适应现代高频电力电子应用的要求。
集成自举二极管:新版本(如2ED2108S06F)充分考虑了集成自举二极管的需求,提高了系统的整体性能和可靠性,适合高频应用。
简化应用设计:IR2108PBF操作简单,帮助设计工程师快速开发各种电力转换和驱动电路,缩短了开发周期。
IR2108PBF广泛应用于以下领域:
IR2108PBF是一个功能强大的半桥驱动器,融合了高电压驱动能力、快速开关特性及高可靠性等多重优势,特别适于现代电力电子系统中的各种应用。其灵活的封装选择和简单的操作特性,使其成为设计工程师的优先考虑之一,能够在多种应用场景中展现出卓越的性能和超高的可靠性。