驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4.6V ~ 13.2V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2V |
输入类型 | 非反相 | 高压侧电压 - 最大值(自举) | 35V |
上升/下降时间(典型值) | 16ns,11ns | 工作温度 | 0°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
NCP3420DR2G 是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能栅极驱动集成电路(IC),专为高效能开关电源和电机驱动应用而设计。作为一种半桥配置的同步驱动器,NCP3420DR2G特别适合于需要快速开关、低功耗和高效率的应用场景,比如 DC-DC 转换器和各类电动机控制系统。
NCP3420DR2G 采用了8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)封装,便于在现代电子设备中的表面贴装。其工作电压范围为 4.6V 至 13.2V,能够适应多种电源环境。此外,该器件的逻辑电压范围设置为 VIL ≤ 0.8V 和 VIH ≥ 2V,确保在不同逻辑电平下的稳定工作。这种设计使得NCP3420DR2G在低电压控制信号下依然能够高效驱动N沟道MOSFET,具备优异的抗干扰能力。
NCP3420DR2G 的驱动配置为半桥类型,具备高压侧电压自举能力,最大电压可达 35V,能够有效满足高压应用的需求。该 IC 的上升/下降时间分别为 16ns 和 11ns,保证了 MOSFET 的快速切换,从而提升了系统的响应速度和整体效率。这种性能在高频应用场景中特别重要,能够显著降低开关损耗,提高开关频率,实现更高的功率密度。
工作温度范围为 0°C 至 150°C,使得NCP3420DR2G能够在恶劣的工作环境下可靠运行。这一特性对于汽车电子、工业控制以及其他重负载应用尤为重要,确保了设备在高温环境下的稳定性和安全性。
NCP3420DR2G 的应用非常广泛,尤其是在以下领域:
作为现代电子设计中的一员,NCP3420DR2G 以其卓越的性能和灵活的应用潜力,成为了许多高效能电源管理系统中不可或缺的组成部分。安森美凭借其丰富的设计经验和高标准的制造工艺,不断推进技术创新,使得 NCP3420DR2G 能够满足当今客户在效率、速度和可靠性方面的严格要求。无论是进行新产品开发,还是改进现有设计,NCP3420DR2G 都是一个值得信赖的选择。