NCP3420DR2G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCP3420DR2G

商品编码: BM0084282877
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOIC-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.22g
描述 : 
栅极驱动IC NCP3420DR2G SOP-8
库存 :
77(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
2.15
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.15
--
100+
¥1.65
--
1250+
¥1.44
--
2500+
¥1.36
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCP3420DR2G参数

驱动配置半桥通道类型同步
驱动器数2栅极类型N 沟道 MOSFET
电压 - 供电4.6V ~ 13.2V逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2V
输入类型非反相高压侧电压 - 最大值(自举)35V
上升/下降时间(典型值)16ns,11ns工作温度0°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC

NCP3420DR2G手册

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无数据

NCP3420DR2G概述

产品概述:NCP3420DR2G 栅极驱动 IC

一、引言

NCP3420DR2G 是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能栅极驱动集成电路(IC),专为高效能开关电源和电机驱动应用而设计。作为一种半桥配置的同步驱动器,NCP3420DR2G特别适合于需要快速开关、低功耗和高效率的应用场景,比如 DC-DC 转换器和各类电动机控制系统。

二、基本参数

NCP3420DR2G 采用了8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)封装,便于在现代电子设备中的表面贴装。其工作电压范围为 4.6V 至 13.2V,能够适应多种电源环境。此外,该器件的逻辑电压范围设置为 VIL ≤ 0.8V 和 VIH ≥ 2V,确保在不同逻辑电平下的稳定工作。这种设计使得NCP3420DR2G在低电压控制信号下依然能够高效驱动N沟道MOSFET,具备优异的抗干扰能力。

三、工作特性与性能

NCP3420DR2G 的驱动配置为半桥类型,具备高压侧电压自举能力,最大电压可达 35V,能够有效满足高压应用的需求。该 IC 的上升/下降时间分别为 16ns 和 11ns,保证了 MOSFET 的快速切换,从而提升了系统的响应速度和整体效率。这种性能在高频应用场景中特别重要,能够显著降低开关损耗,提高开关频率,实现更高的功率密度。

工作温度范围为 0°C 至 150°C,使得NCP3420DR2G能够在恶劣的工作环境下可靠运行。这一特性对于汽车电子、工业控制以及其他重负载应用尤为重要,确保了设备在高温环境下的稳定性和安全性。

四、应用场景

NCP3420DR2G 的应用非常广泛,尤其是在以下领域:

  1. DC-DC 转换器:通过驾驶同步整流器,实现高效率转换。
  2. 电机驱动:在各种小型和中型电机驱动设计中,NCP3420 能够有效地控制电机的启动、制动和转速调节。
  3. 可再生能源系统:在光伏逆变器和风力发电系统中,能够有效驱动功率开关器件,提高系统效率。
  4. 消费电子产品:如充电器、适配器以及其他需要高效率功率管理的设备。

五、总结

作为现代电子设计中的一员,NCP3420DR2G 以其卓越的性能和灵活的应用潜力,成为了许多高效能电源管理系统中不可或缺的组成部分。安森美凭借其丰富的设计经验和高标准的制造工艺,不断推进技术创新,使得 NCP3420DR2G 能够满足当今客户在效率、速度和可靠性方面的严格要求。无论是进行新产品开发,还是改进现有设计,NCP3420DR2G 都是一个值得信赖的选择。