BC857BV,115 产品实物图片
BC857BV,115 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC857BV,115

商品编码: BM0084282721
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-666
包装 : 
编带
重量 : 
0.04g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 45V 100mA PNP SOT-666-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.772
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.772
--
200+
¥0.532
--
2000+
¥0.484
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC857BV,115参数

晶体管类型2 PNP(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-666

BC857BV,115手册

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BC857BV,115概述

产品概述:BC857BV,115

BC857BV,115 是一款由 Nexperia(安世)公司生产的高性能 PNP 型晶体管,专为各种电子电路应用而设计。这款晶体管具有出色的性能参数,适合用于信号放大、开关、与负载的连接等多种场景。以下将对其主要特性、应用场景以及优点进行详细分析。

主要特性

  1. 基础参数

    • 晶体管类型:BC857BV 是一款 PNP 类型的双极性晶体管 (BJT),适用于负载接地的应用场景。
    • 集电极电流 (Ic):该晶体管的最大集电极电流为 100mA,适合于中等电流负载的驱动。
    • 集射极击穿电压 (Vce):最大击穿电压为 45V,保证了其在高压应用环境中的安全性。
    • Vce 饱和压降:在 5mA 和 100mA 的集电极电流下,最大饱和压降为 400mV,确保了有效的功率损耗管理。
    • 截止电流 (ICBO):该器件的集电极截止电流最大为 15nA,具有优越的电流泄漏特性。
    • DC 电流增益 (hFE):在 2mA 电流和 5V 电压下,DC 电流增益的最小值为 200,这使得其在放大应用中具有较高的增益能力。
    • 功率能力:最大功率为 200mW,结合其小型化的设计,能够有效地满足多种电子电路的需求。
    • 频率响应:跃迁频率达到 100MHz,适合于高频信号的处理。
    • 工作温度:其工作温度可高达 150°C(TJ),保证了在恶劣环境下的稳定工作。
  2. 封装/外壳

    • BC857BV,115 采用 SOT-666 表面贴装型封装,这种紧凑的封装形式使得其在空间有限的电路板上具备优秀的适应性。

应用场景

BC857BV,115 的优越性能使其适用于多种应用,涵盖了消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。具体应用场景包括但不限于:

  • 音频设备:由于其高增益特性,非常适合用于音频放大电路。
  • 开关电路:此器件可作为低电压、大电流负载的开关,帮助控制灯光、风扇等设备的开关。
  • 信号处理:BC857BV 能有效提高微弱信号的强度,适用于各种信号放大和处理的任务。
  • 传感器电路:与传感器配合使用时,可以提高系统的灵敏度和响应速度。

优点

  • 高增益:凭借其高达 200 的 DC 电流增益,BC857BV,115 能够在低输入信号条件下提供强大的输出。
  • 低功耗:在不同工作条件下,保持低饱和压降,实现高效的功率管理。
  • 稳定性:在高温和高压条件下的良好表现,确保了长时间可靠运行。
  • 小型化设计:SOT-666 封装使其在空间受限的应用中非常理想,适合用于紧凑型电路板设计。

结论

BC857BV,115 是一款功能强大、适应性广的 PNP 型晶体管,以其优异的性能满足当今电子产品日益增长的需求。无论是在音频放大、开关控制还是信号处理等领域,其出色的技术参数和可靠的性能表现,都使其成为设计工程师的首选器件。通过选择 BC857BV,115,您将为您的电子设计注入更多的灵活性与创新空间。