注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IPD70R900P7SAUMA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
0.481g
描述 :
场效应管(MOSFET) 30.5W 700V 6A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
2500(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.32按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.32
--
100+
￥1.77
--
1250+
￥1.55
--
2500+
￥1.46
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
IPD70R900P7SAUMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 700V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 900 毫欧 @ 1.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 60µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 211pF @ 400V |
| 功率耗散（最大值） | 30.5W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IPD70R900P7SAUMA1手册
无数据
IPD70R900P7SAUMA1概述
产品概述：IPD70R900P7SAUMA1
一、产品简介
IPD70R900P7SAUMA1是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能N通道MOSFET（场效应管），其设计定位于高压电源管理、高频开关电源和各种工业应用。该产品具有优秀的电气性能和热管理特性，能够在严苛的工作环境中提供可靠的性能。其封装采用TO-252（DPAK），适合表面贴装，便于集成于现代电子设备中。
二、主要技术参数
- FET类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）: 700V
- 连续漏极电流（Id）: 6A（Tc = 25°C）
- 导通电阻（Rds On）:
- 最大值900毫欧（@ 10V, 1.1A）
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值3.5V（@ 60µA）
- 栅极电荷（Qg）: 最大值6.8nC（@ Vgs = 10V）
- 栅极-源极电压（Vgs）: 最大值±16V
- 输入电容（Ciss）: 最大值211pF（@ 400V）
- 功率耗散: 最大值30.5W（Tc）
- 工作温度范围: -40°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-252-3（DPAK）
三、应用领域
IPD70R900P7SAUMA1广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 由于其高电压处理能力和低导通电阻，使其成为开关电源设计中的理想选择，能够提高效率并降低功耗。
- 电机驱动器: 在电机驱动应用中，该MOSFET能够高效转换信号，提供稳定的工作性能。
- 工业自动化: 在各种工业控制系统中，IPD70R900P7SAUMA1能够有效驱动负载，并且其宽温范围适合在严苛环境下使用。
- 汽车电子: 高工作温度范围和高电压特性，使其适合在汽车电子控制单元中使用。
四、性能优势
- 高耐压设计: 700V的漏源电压使其能够在高压应用中稳定工作，适应宽广的输入条件。
- 低导通电阻: 900毫欧的导通电阻显著降低了导通时的功率损耗，提高了能效。
- 快速开关特性: 低栅极电荷值（Qg）能使MOSFET快速响应，有助于提升开关频率，从而在减少损耗的同时提高系统效率。
- 广泛的工作温度: 该MOSFET可以在-40°C到150°C的温度范围内正常工作，适合多种工业和汽车应用的需求。
- 优异的热管理能力: 最大功率耗散达到30.5W，使其适合高功率应用而不易过热。
五、结论
IPD70R900P7SAUMA1是英飞凌提供的一款具有卓越性能的N通道高压MOSFET，凭借其低导通电阻、高漏源电压及广泛的工作温度，成为现代电子设备中不可或缺的重要元件。在未来的电源管理、电机驱动和工业自动化等多个领域，IPD70R900P7SAUMA1将继续发挥其关键作用，助力各类应用的高效运行。