注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IPD70R360P7SAUMA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 59.4W 700V 12.5A 1个N沟道 TO-252-3
库存 :
1237(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
3.71按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.71
--
100+
￥3.08
--
1250+
￥2.8
--
2500+
￥2.6
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
IPD70R360P7SAUMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 700V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 360 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 517pF @ 400V |
| 功率耗散（最大值） | 59.4W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IPD70R360P7SAUMA1手册
无数据
IPD70R360P7SAUMA1概述
IPD70R360P7SAUMA1 产品概述
产品名称: IPD70R360P7SAUMA1
类型: N通道MOSFET
制造商: Infineon Technologies（英飞凌）
封装: TO-252-3 (DPAK)
一、产品简介
IPD70R360P7SAUMA1是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高压应用设计。它具有700V的漏源电压和12.5A的连续漏极电流，能够在广泛的工业和消费电子应用中提供卓越的性能和可靠性。该MOSFET在恶劣的环境条件下也能稳定工作，适用于各种电力电子和电源转换电路。
二、关键特性
高电压和电流能力:
- 漏源电压（Vdss）高达700V，适合高电压电源转换应用。
- 连续漏极电流（Id）达到12.5A（在接合温度Tc下），能满足大功率负载要求。
低导通电阻:
- 在10V的栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）在3A时为最大360毫欧。这使得该器件在导通状态下功耗较低，有助于提高能效。
优异的温度特性:
- 工作温度范围广，-40°C到150°C，适应极端环境条件。
- 最大功率耗散为59.4W（Tc），足以应对高负载条件。
高输入 capacitance:
- 输入电容（Ciss）在400V时达到517pF，提供良好的开关特性，利于快速开关操作。
便捷的驱动特性:
- 最大栅极驱动电压为±16V，能够与多种驱动电路兼容。
- 栅极电荷（Qg）为最大16.4nC（在10V下），使得该MOSFET能够实现快速的开关频率。
封装与安装类型:
- 产品采用TO-252-3（DPAK）封装，便于表面贴装，适合自动化生产线。
三、应用场景
IPD70R360P7SAUMA1适用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）: 由于其高效率和快速切换能力，该MOSFET尤为适合在开关电源中做为主开关元件。
- 逆变器: 在光伏和风能逆变器中，它能提供高效的能量转换。
- 电机驱动: 该器件可用于电动机驱动中，尤其是在高压和高功率的工业型驱动系统中。
- 高压电源管理: 适合于电源管理IC中，能有效提高系统的效能和稳定性。
四、总结
IPD70R360P7SAUMA1是一款卓越的N通道MOSFET，凭借其高电压、高电流能力及低导通电阻特性，成为各类高效能电源解决方案的理想选择。在广泛的工业和消费电子领域，该MOSFET的应用潜力巨大，能够满足苛刻的电源管理需求。选择Infineon的IPD70R360P7SAUMA1，将为客户的设计带来极大的性能提升与成本效益。