制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 类型 | 转向装置(轨至轨) |
电压 - 反向断态(典型值) | 5.5V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 5.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 10V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 8A(8/20µs) |
电源线路保护 | 是 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 0.6pF @ 1MHz | 工作温度 | -40°C ~ 125°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 | 单向通道 | 4 |
基本产品编号 | NUP4114 |
NUP4114UPXV6T1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的一种高效能静电放电(ESD)和浪涌保护器件,采用了先进的表面贴装(SMD)技术,封装形式为 SOT-563。这款器件广泛应用于各种电子设备的保护电路中,能够有效防止电压突波和静电放电对敏感元件造成的损害。
NUP4114UPXV6T1G 具有出色的电气特性,其主要技术参数包括:
NUP4114UPXV6T1G 的设计旨在为现代电子设备提供卓越的保护性能。其最大反向断态电压为 5.5V,使其非常适合于5V及以下的逻辑电平电路,保证了设备在设计实施中的安全性。击穿电压也定为 5.5V,确保在正常工作条件下该器件能够稳定运行。
在高强度脉冲的处理能力上,该器件可以承受高达 8A 的峰值脉冲电流,这使得它在应对瞬态电压事件(如静电放电和电源浪涌)时表现卓越。此外,最大箝位电压为 10V,支持对高电压突发事件的有效抑制。
NUP4114UPXV6T1G 适用于众多应用场景,尤其是在需要保护敏感电子元件的领域。它常常被用于:
该器件的极低电容值(0.6pF @ 1MHz)使其在高速信号传输中对信号的影响微乎其微,尤其适用于高频通信应用。
NUP4114UPXV6T1G 是一种高性能的静电和浪涌保护器件,凭借其稳定的电气性能和良好的环境适应性,成为了现代电子设计中的常见选择。其小巧的 SOT-563 封装和高峰值脉冲电流处理能力,使得它在保护电子元件的同时不会对整体电路引入过多的额外负担,确保设备的高可靠性与稳健性。
无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子等领域,NUP4114UPXV6T1G 的合理运用都能够显著提升设备的耐用性和稳定性,为用户带来更具价值的使用体验。这款器件的推出,体现了安森美作为半导体领域领导者的技术实力与对市场需求的敏锐洞察。