EMB10T2R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

EMB10T2R

商品编码: BM0000614187
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个PNP-预偏置
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.367
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.367
--
500+
¥0.244
--
4000+
¥0.212
--
8000+
¥0.19
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

EMB10T2R参数

晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装EMT6

EMB10T2R手册

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EMB10T2R概述

EMB10T2R 产品概述

EMB10T2R 是一款由知名品牌 ROHM (罗姆) 生产的双PNP预偏置数字晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该元器件具有优异的性能特点和灵活的应用场景,为设计工程师提供了可靠的解决方案。

1. 基本特性

EMB10T2R 构造为两个 PNP 晶体管的组合,采用 SOT-563 或 SOT-666 表面贴装型封装形式,适用于空间有限的 PCB 板设计。该元器件特别设计用于低功耗的应用,最大功率为 150mW,能够承受高达 100mA 的集电极电流 (Ic),因此能够满足大多数小型电子项目的需求。

2. 电气性能

  • 集电极电流 (Ic):此产品的最大集电极电流为 100mA,适用于多种负载驱动情形。
  • 集射极击穿电压:该元器件的击穿电压(Vce)最大值为 50V,对于电压控制和电源转换电路提供了相对较好的安全边际。
  • DC 电流增益 (hFE):在 Ic 为 10mA 和 Vce 为 5V 的情况下,EMB10T2R 的最低 DC 电流增益为 80,保证了其良好的放大性能。
  • 饱和压降:在最高的 Ib 为 250µA、Ic 为 5mA 的条件下,最大饱和压降为 300mV,这意味着在开关操作中功率损耗较小,效率更高。
  • 截止电流:集电极截止电流最大值为 500nA,符合高效、低功耗的设计需求。

3. 高频性能

EMB10T2R 具备高频跃迁特性,频率可达 250MHz,使其在高速开关、调制解调和高频放大应用中都能表现出色。此特性使得它适合于无线通信、射频应用以及数字信号处理等领域。

4. 应用场景

EMB10T2R 被广泛运用在多个领域,包括但不限于:

  • 消费电子:如电视、音响和便携式设备的信号调节。
  • 电源管理:用于电源开关控制及保护电路,确保设备在不同状态下稳定运行。
  • 工业自动化:在传感器和执行器控制中,起到信号放大和电源切换作用。
  • 汽车电子:在汽车中的电子控制单元(ECU) 中起到数据传输和处理作用。

5. 可靠性与安全性

ROHM 对 EMB10T2R 所采用的材料和生产工艺进行了严格把控,确保了产品的一致性与可靠性。在实际应用中,这种数字晶体管表现出了极低的噪声及稳定的性能,对提高整体系统的可靠性和寿命起到了积极作用。

6. 设计建议

在设计电路时,应确保对 EMB10T2R 的热管理,避免在高温条件下工作。合理配置基极和发射极的电阻器如 2.2kΩ 和 47kΩ 可有效调节开关特性和增益,从而根据不同应用进行优化。此外,应根据 IC 的最大电流和电压要求合理选择晶体管的驱动电路,确保在额定值范围内工作。

总结

EMB10T2R 作为一款数字晶体管,兼具高效能和灵活性,适合多种应用场景使用。凭借其优越的性能及可靠的品质,EMB10T2R 是电子设计工程师在选择晶体管时值得考虑的优质元件。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域,EMB10T2R 都能为产品提供卓越的支持。