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NTK3139PT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-723-3
包装 :
编带
重量 :
0.02g
描述 :
场效应管(MOSFET) 310mW 20V 660mA 1个P沟道 SOT-723
库存 :
1630(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.632按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.632
--
200+
￥0.435
--
2000+
￥0.396
--
4000+
￥0.37
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述
NTK3139PT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 660mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 480 毫欧 @ 780mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±6V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 封装/外壳 | SOT-723 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 170pF @ 16V | 基本产品编号 | NTK313 |
NTK3139PT1G手册
无数据
NTK3139PT1G概述
NTK3139PT1G 产品概述
基本信息
NTK3139PT1G 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款高性能的 P 型 MOSFET（场效应管），专为高效率和广泛应用于各种电子电路设计而设计。该器件采用了先进的 MOSFET 技术，具有优异的电子特性和热性能，适用于对尺寸、功率和可靠性有严格要求的行业。
主要特性
- 制造商: ON Semiconductor（安森美）
- 零件状态: 有源
- FET 类型: P 通道
- 封装类型: SOT-723，适合表面贴装应用
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C，满足高温环境下的稳定工作需求
性能参数
NTK3139PT1G 的关键性能参数包括：
- 电流 - 连续漏极 (Id): 660mA @ 25°C
- 漏源电压 (Vdss): 20V，适合多种低电压应用
- 驱动电压 (Vgs): 1.5V 至 4.5V，这使得该 MOSFET 在低压工作时也能保持良好的导通性能
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大值 480mΩ @ 780mA 和 4.5V，确保低功耗和高效能
- 功率耗散 (Pd): 最大值 310mW，能够在浪涌和瞬态条件下提供可靠的性能
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 1.2V @ 250µA，低阈值有利于快速开关
- 输入电容 (Ciss): 最大值 170pF @ 16V，适合高速开关和高频应用
应用场景
NTK3139PT1G 极其适合用于各种电子设备的电源管理和开关应用。其主要应用领域包括：
- 无线和便携式设备: 由于其小巧的 SOT-723 封装和低功耗特性，非常适合智能手机、平板电脑以及其他便携式电子产品。
- 电源管理电路: 在开关电源中，NTK3139PT1G 可用于实现高效的电源转换和调节。
- 汽车电子: 该 MOSFET 能够在宽温度范围内工作，适合汽车电子模块的应用，确保在严苛环境下的可靠性。
- 工业设备: 可以用于工业控制系统以及自动化设备中，满足高频、连续工作需求。
总结
NTK3139PT1G 作为一款P型 MOSFET，其优异的特性使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在高效能处理器供电、开关电源，还是在低功耗设备中，均能发挥出色的性能。通过其优秀的导通电阻、低阈值电压和宽广的工作温度范围，该产品不仅满足了工程师对于高效能和可靠性的要求，也提升了整体系统性能。在表面贴装型 SOT-723 封装的保护下，NTK3139PT1G 可以在密集的电路布局中轻松集成，为各类应用提供完美的解决方案。