存储器格式 | 闪存 | 存储容量 | 4Mb (512K x 8) |
存储器接口 | SPI - 四 I/O | 时钟频率 | 104MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -40°C ~ 105°C(TA) |
技术 | FLASH - NOR | 写周期时间 - 字,页 | 800µs |
存储器类型 | 非易失 | 电压 - 供电 | 2.3V ~ 3.6V |
随着物联网(IoT)和移动设备的迅猛发展,对高性能、低功耗存储解决方案的需求不断攀升。作为这个领域的重要组成部分,闪存技术,尤其是NOR闪存,凭借其高读写速度和非易失性,成为了嵌入式系统、消费电子和工业应用中广泛采用的存储方案。IS25LQ040B-JNLE-TR是一款由美国ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产的高性能4Mb闪存器件,广泛应用于各种市场的先进电子设备中。
存储容量: IS25LQ040B-JNLE-TR提供4Mb的存储容量(512K x 8),能满足中等数据存储需求,适合嵌入式系统和小型设备。
存储器接口: 本器件采用SPI(串行外设接口)协议,具备四条输入输出(四I/O)通道。这种设计不仅提高了数据传输速率,还显著降低了外部引脚数量,节省了PCB面积。
时钟频率: 该设备支持高达104MHz的时钟频率,能够快速读写数据,特别适合对速度要求较高的应用。
工作温度范围: IS25LQ040B的工作温度范围为-40°C到105°C,确保其在严苛环境下的稳定运行,适合汽车、工业控制等应用场景。
电压供电: 本器件的工作电压为2.3V至3.6V,具有较低的功耗,能够有效延长电池寿命,这是便携式设备的重要考量。
技术特性: IS25LQ040B采用NOR闪存技术,具有快速的访问时间和高可靠性,能够在多次写入和擦除后仍保持数据完整性。
写周期与性能: 本器件的写周期时间为800µs,表明其具有相对较快的编程速度,支持高频率的写操作,适用于需频繁更新内容的应用。
封装形式: IS25LQ040B-JNLE-TR采用8-SOIC封装,适合表面贴装技术(SMT),方便在现代电子设备生产中的大规模部署。
IS25LQ040B-JNLE-TR由于其卓越的性能及适用范围,被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
IS25LQ040B-JNLE-TR是一款高效能、低功耗的4Mb NOR闪存解决方案,凭借其出色的电气特性、耐环境性能以及高可靠性,适合于各种应用场合。无论是在工业、消费电子,还是汽车领域,IS25LQ040B都将为设计工程师提供极具灵活性和高性能的数据存储选择,推动传统与新兴技术的融合升级。