G12P03D3 产品实物图片
G12P03D3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

G12P03D3

商品编码: BM0000257022
品牌 : 
GOFORD(谷峰)
封装 : 
DFN-8(3.15x3.05)
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3W 30V 12A 1个P沟道 PDFN-8(3x3.1)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.34
按整 :
托盘(1托盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.34
--
100+
¥1.03
--
1250+
¥0.86
--
2500+
¥0.782
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

G12P03D3参数

功率(Pd)3W反向传输电容(Crss@Vds)158pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ@4.5V,4A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)24.5nC@10V
漏源电压(Vdss)30V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.253nF连续漏极电流(Id)12A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA

G12P03D3手册

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G12P03D3概述

G12P03D3 产品概述

概述

G12P03D3 是一款高性能的 P 型场效应管(MOSFET),其设计能够在多种应用中提供稳定而可靠的电流控制。其主要规格为 3W 的功率处理能力、30V 的额定电压和 12A 的最大电流,广泛适用于电源管理、开关电路、驱动电机以及其他需要高效电流控制的电子电路中。作为来自 GOFORD(谷峰)品牌的产品,G12P03D3 以其出色的性能和可靠性赢得了众多工程师的青睐。

主要特性

  • 额定电压:30V
  • 额定电流:12A
  • 功率处理能力:3W
  • 封装类型:DFN-8(3.15 x 3.05 mm)
  • 门极阈值电压:适用范围内的低电压特性,确保与低电压逻辑电平兼容。
  • 低导通电阻:在导通状态下具有优秀的低导通电阻 (R_DS(on)),这有助于降低功耗并提高效率。

应用领域

G12P03D3 的设计使其在多个领域中都能发挥重要作用,主要应用包括但不限于:

  1. 电源管理:在电源转换器和稳压电源中,G12P03D3 可以作为开关元件,控制电流流动,实现高效的能量转换。
  2. 电机驱动:广泛应用于电机驱动电路,能够有效调节电机的启动、运行和停止,提供平稳的运行性能。
  3. 家用电器:在家电控制电路中,G12P03D3 被用于开关控制,确保设备的可靠运行。
  4. LED 驱动:对LED照明系统来说,G12P03D3 提供了良好的开关特性,有助于实现精准的亮度控制。
  5. 通信设备:在通信设备的电源管理模块中,G12P03D3 能够提供所需的稳压和电流保护。

性能优势

  1. 高效率:得益于其低导通电阻,G12P03D3 在高电流工作时能显著减少能量损耗,从而提高整体系统的能效。
  2. 小封装设计:DFN-8 封装的设计不仅节省空间,而且有助于散热,适合现代紧凑型电路设计。
  3. 可靠性:在严格的工业标准下制造,确保了其在各种环境条件下的长期可靠性,适合于严苛的应用场景。

结论

G12P03D3 作为 GOFORD 旗下的一款高性能 P 型 MOSFET,不仅具备高功率处理能力和灵活的应用范围,同时也在效率和可靠性方面表现卓越。其紧凑的封装设计和出色的电气特性,使其成为现代电子设备中不可或缺的重要元件。无论是在电源管理、电机驱动还是其他应用中,G12P03D3 皆能为用户提供极具竞争力的解决方案,推动各种电子产品向着高效、节能的方向发展。