BSC0902NSI 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSC0902NSI

商品编码: BM0209130525
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) BSC0902NSI PowerTDFN-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.47
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.47
--
100+
¥2.89
--
1250+
¥2.68
--
2500+
¥2.55
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC0902NSI参数

功率(Pd)48W反向传输电容(Crss@Vds)88pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.8mΩ@10V,30A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)24nC@10V
漏源电压(Vdss)30V输入电容(Ciss@Vds)2nF@15V
连续漏极电流(Id)89A阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@10mA

BSC0902NSI手册

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BSC0902NSI概述

BSC0902NSI 产品概述

一、基本信息

BSC0902NSI 是一种由英飞凌(Infineon)公司生产的场效应管(MOSFET),采用PG-TDSON-8封装,具有优异的开关特性和热性能,适用于多种电子应用。这款MOSFET专为高效率的功率管理和电源转换设计,广泛应用于消费电子、通信基站、工业自动化和汽车电子等领域。

二、技术规格

BSC0902NSI在电气性能方面具有以下显著特点:

  1. 最低导通电阻:该MOSFET具有低导通电阻(R_DS(on)),使其在工作时功耗更低,从而提高系统的整体效率。这对于要求高效能的电源管理应用尤为重要。

  2. 高耐压:BSC0902NSI具有较高的额定漏源电压(V_DS(max)),使其在高电压应用中表现出色。其耐压能力使得该器件在各种电源设计中能够稳定工作。

  3. 快速开关能力:该MOSFET具备快速的开关特性,能够在高频操作中提供出色的性能,适用于开关电源(SMPS)领域。这种快速响应特性有助于减少开关损耗,提高系统的工作效率。

  4. 集成特性:由于采用了优秀的封装设计,BSC0902NSI能够有效降低热阻,提升散热性能,确保在较高功率下仍能可靠运行。

三、封装及物理特性

BSC0902NSI采用PG-TDSON-8封装,这种封装样式使得其在空间受限的应用中表现尤为出色。PG-TDSON-8封装具备紧凑的设计,支持多个引脚配置,便于在PCB(印刷电路板)上实现更高密度的布局。这种封装形式不仅有助于降低整体系统的尺寸,还减少了信号传输的延迟,从而提高了电子产品的性能和可靠性。

封装的热管理特性也在BSC0902NSI的设计中展现出优势,确保其在运行时能够有效散热,降低温升问题,从而提升了产品的使用寿命。

四、应用场景

BSC0902NSI的高性能特性使其适合多种应用场景,包括但不限于:

  1. 电源管理:BSC0902NSI特别适用于高效率的 DC-DC 转换器、功率因数校正(PFC)电路和其他电源管理设备,能够提供高效的电力转换,降低能耗。

  2. 电动汽车:其耐高压特性和优秀的散热性能使其在电动汽车的动力管理系统中得到了广泛应用,能够在效率和安全性间取得良好的平衡。

  3. 工业控制:在工控设备中,该MOSFET可以用于电机驱动、电源模块和其他需要快速开关和高功率控制的场合,提升系统的整体运行效率。

  4. 消费电子:BSC0902NSI也适用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费类电子产品中的电源管理模块。

五、总结

BSC0902NSI作为英飞凌的一款高性能MOSFET,其优异的电气特性和紧凑的封装设计,使其适用于当今市场对高效能和小型化电子元件的需求。凭借良好的导通电阻、高耐压、快速开关能力以及优化的热管理特性,BSC0902NSI为多种电子应用提供了可靠的解决方案,充分展现了其在电源管理、工业控制和消费电子领域的重要价值。随着科技的不断进步和对节能环保的日益重视,BSC0902NSI必将发挥更加重要的作用。