晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 1 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
功率 - 最大值 | 420mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
产品名称: PIMC31,115
品牌: Nexperia (安世)
封装类型: SOT-457
器件类型: 数字晶体管
PIMC31,115 是一款高性能的数字晶体管,集成了一对预偏置式的NPN和PNP晶体管,专为低功耗和高速度的电子应用而设计。该产品采用SOT-457封装,具有工厂标准的6-TSOP封装尺寸,非常适合自动化的表面贴装(SMD)技术。它能够有效地提供更小的电路设计和简化的布局,在日益紧凑的现代电子设备中尤为重要。
集电极电流 (Ic): PIMC31,115最大集电极电流为500mA,意味着设备可以在相对较高的负载电流下工作,适应多种应用场景。
集射极击穿电压 (Vce): 最大50V的击穿电压,使得设备在众多工业和消费应用中具备良好的电压处理能力,避免因过压造成的损伤。
工作功率: 最大功率420mW,确保其在多种工作条件下均可安全运行并有效散热。
直流电流增益 (hFE): 在50mA和5V的条件下,DC电流增益的最小值为70,确保在提供一定基极电流(Ib)的情况下,集电极电流(Ic)可以有效放大,满足信号放大的需求。
饱和压降: 在2.5mA和50mA条件下,Vce饱和压降最大为300mV,极低的饱和压降提高了能效,是高性能电路设计的理想选择。
集电极截止电流: 最大500nA的截止电流意味着该元件在关断状态下几乎不会消耗电流,极大地提升了系统的能效,尤其适用于电池供电的便携式设备。
PIMC31,115数字晶体管广泛应用于以下几个领域:
PIMC31,115采用表面贴装(SMD)设计,兼容现代高速焊接工艺,确保在高批量生产中降低装配成本。使用该元件时,建议根据实际电路设计合理选择基极和发射极电阻,以优化工作点和提高工作效率。同时,由于品类电流增益的动态特性,推荐在设计中进行适当的测试验证工作,以达到最佳电路性能。
Nexperia推出的PIMC31,115是一款具备多项优良性能的数字晶体管,其高集电极电流、高击穿电压和低截流电流的特性,使其成为在多种电子应用中不可或缺的关键元件。适合现代电子设计需求,充分展现了其在高效能、小型化与低功耗方面的优势,是工程师进行新产品开发时值得考虑的重要选择。