晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 22 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 22 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 300µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
功率 - 最大值 | 246mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
MMUN2212LT1G 是由安森美(ON Semiconductor)制造的一款高性能 NPN 预偏置数字晶体管。其优良的电气特性使其广泛应用于各种电子电路中,特别是开关电源、放大器和逻辑电路等应用。该器件采用 SOT-23 封装,这种小型表面贴装设计非常适合现代紧凑型电路的需求。
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流和电压规格:
直流电流增益(hFE):
饱和压降:
电流截止特性:
功率额定值:
封装类型:SOT-23(TO-236)
安装类型:表面贴装型
MMUN2212LT1G 的多样化特性使其广泛应用于:
MMUN2212LT1G 是一款性价比高、性能出色的 NPN 预偏置数字晶体管,适合多种电子产品的设计与应用。其小型的 SOT-23 封装使其成为现代电子市场中的重要组成部分。无论是用于信号放大还是开关电源,该晶体管都能够提供可靠的性能与高效能,是电路设计师和工程师的理想选择。选择 MMUN2212LT1G,您将获得高质量、效率及出色的电气性能,助力您的电子产品实现更好的功能与性能。