1EDI60H12AHXUMA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

1EDI60H12AHXUMA1

商品编码: BM0209128203
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-DSO-8-59
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
EiceDRIVER ™ 1200 V high side gate driver IC with typical typical 10.0 A source and 9.4 A sink currents in DSO-8 package for IGBT . For higher isolation rating, higher current, shorter propagation delay, check out our newly released X3 Compact family , 1ED3124MU12H . The DSO-8 150 mil narrow body version with great price performance ratio is also available: 1EDI60N12AF
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
18.35
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥18.35
--
100+
¥16.39
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

1EDI60H12AHXUMA1参数

技术磁耦合通道数1
上升/下降时间(典型值)10ns,9ns电压 - 输出供电13V ~ 35V
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)供应商器件封装PG-DSO-8-59

1EDI60H12AHXUMA1手册

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1EDI60H12AHXUMA1概述

1EDI60H12AHXUMA1 产品概述

概述

1EDI60H12AHXUMA1 是一款由英飞凌(Infineon)推出的高侧(High Side)栅极驱动器集成电路(IC),专为驱动绝缘栅双极晶体管(IGBT)而设计。该驱动器采用先进的磁耦合技术,具有卓越的性能和可靠性,特别是在高电压和高温环境下表现出色。其工作电压范围为13V至35V,适合高电压应用,能够有效提升系统的工作效率和安全性。

技术特点

1EDI60H12AHXUMA1 提供典型的10.0 A源电流和9.4 A漏电流,能够为IGBT提供足够的驱动能力,以实现快速的开关操作。组件的上升时间为10 ns,下降时间为9 ns,这保证了在快速开关情况下的低延迟特性,并减少了开关损耗。驱动器的工作温度范围广泛,从-40°C到150°C,都适用,使其在恶劣的环境条件下也能稳定工作。

封装与安装

该驱动器采用8-SOIC(0.295"宽,7.50 mm宽)的表面贴装型(SMD)封装。此紧凑型设计不仅有助于优化PCB(印刷电路板)空间,还能适应高功率电子设备的需求。其标准的PG-DSO-8-59封装允许较高的安装密度,便于设备的小型化和集成化。此外,作为表面贴装元器件,具体的安装工艺也能够提高生产效率,减少组装成本。

应用领域

1EDI60H12AHXUMA1广泛应用于高功率转换器、变频器、电动机驱动器和其他需要高效IGBT驱动的工业应用。其高温和高电压的适应能力使得该产品在电力电子领域,尤其在可再生能源系统(如太阳能逆变器)和电动车应用中表现尤为突出。

性能优势

与市场上的同类产品相比,1EDI60H12AHXUMA1具有出色的价格性能比。其高电流驱动能力和快速开关特性使其在高功率应用中极具竞争力。此外,英飞凌还提供了更高隔离等级和更短传播延迟的升级版本,如X3 Compact系列和1ED3124MU12H,为客户在不同的应用需求中提供了多样的选择。

结论

总之,1EDI60H12AHXUMA1是一款高性能、高可靠性的IGBT高侧栅极驱动器,创新的磁耦合技术和优化设计使其非常适合高电压和高温应用。无论是在可再生能源、工业自动化还是电动车领域,1EDI60H12AHXUMA1能够为工程师提供稳定有效的驱动解决方案。随着电子技术的不断进步,使用这种高效驱动器的产品将有助于实现更高的性能和更低的能耗,同时在市场中获得竞争优势。