二极管类型 | 碳化硅肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 650V |
电流 - 平均整流 (Io) | 12A(DC) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7V @ 12A |
速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 0ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 190µA @ 650V | 不同 Vr、F 时电容 | 360pF @ 1V,1MHz |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-2 |
供应商器件封装 | PG-TO220-2-1 | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
IDH12G65C5XKSA2是一款采用先进碳化硅(SiC)技术制造的肖特基二极管,属于Infineon(英飞凌)公司第五代CoolSiC™系列。这款二极管专为高电压和高效率应用而设计,具有650V的最大反向电压(Vr)和12A的平均整流电流能力。这种高性能元器件非常适合于用于电力电子、工业驱动、电源管理以及可再生能源应用等领域。
IDH12G65C5XKSA2利用Infineon的专有扩散焊接工艺,结合了更紧凑的设计和薄晶圆技术,使其在所有负载条件下均表现出优异的效率。该二极管具有更低的性能指标(Q_c x V_f),这使其在热特性和效率方面优于传统的硅基二极管。这种特性是通过改进的热管理和较小的导通损耗实现的,确保了在高功率和高频率操作下的可靠性。
IDH12G65C5XKSA2采用PG-TO220-2-2的封装形式,具备通孔安装特性,使其能够广泛应用于各种电路板设计中。其强大的散热能力和灵活的安装方式,使其在设计中更为便捷,并可在多种环境条件下良好运行。
总之,IDH12G65C5XKSA2凭借其高电压和高电流能力,结合碳化硅技术带来的高效率和优异热特性,成为电力电子界的理想选择。随着各种高效能电源管理和转换应用的需求不断增长,IDH12G65C5XKSA2无疑将在未来的电力电子产品中发挥重要作用。各类设计工程师和系统集成商可依托这一创新的二极管,为其产品提供更高的性能和可靠性。