MMSZ3V6T1G 产品实物图片
MMSZ3V6T1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMSZ3V6T1G

商品编码: BM0209123161
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOD-123
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
稳压二极管 独立式 3.6V 3.42V~3.78V 5uA@1V SOD-123
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.403
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.403
--
200+
¥0.26
--
1500+
¥0.226
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMSZ3V6T1G参数

安装类型表面贴装型工作温度-55°C ~ 150°C
阻抗(最大值)(Zzt)90 Ohms电压 - 齐纳(标称值)(Vz)3.6V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA功率 - 最大值500mW
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 1V容差±5%
封装/外壳SOD-123供应商器件封装SOD-123

MMSZ3V6T1G手册

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MMSZ3V6T1G概述

MMSZ3V6T1G 产品概述

1. 产品基本信息

MMSZ3V6T1G是一种高性能的稳压二极管,由安森美(ON Semiconductor)生产。其主要功能是对电路中的电压进行精确稳压,保护下游敏感组件免受电压波动的影响。该器件采用表面贴装(SMD)封装,封装类型为SOD-123,适合用于自动化焊接及高密度电路板上的安装。

2. 关键参数

MMSZ3V6T1G的主要电气参数如下:

  • 标称齐纳电压(Vz): 3.6伏特(V),该电压为其稳压状态下的输出电压。
  • 电压容差: ±5%,即在制造公差范围内,实际电压可能在3.42V到3.78V之间波动。
  • 最大功率: 500毫瓦特(mW),表示该元件最大功率损耗能力。
  • 最大阻抗(Zzt): 90欧姆,通常在齐纳工作范围内对其动态抗干扰能力的一种量测。
  • 反向泄漏电流: 5微安(µA)@ 1V,表示在反向偏置条件下,二极管泄漏电流的最大值,有助于评估其在工作过程中的效率。
  • 正向电压(Vf): 900毫伏特(mV)@ 10mA,指在10毫安的条件下,该器件正向导通时的电压降。

3. 工作环境

MMSZ3V6T1G设计用于恶劣环境,其工作温度范围为-55°C到150°C。这使得该器件能够在极端的工业条件下正常有效地工作,适合航空航天、汽车电子、和工业控制等领域。

4. 封装及安装

MMSZ3V6T1G采用了紧凑型的SOD-123封装,这种设计不仅节省了 PCB 上的空间,还支持高温焊接,并且兼容各种自动化贴装设备。表面贴装的特点使得其具备了更优的热管理性能,相比传统的插脚式封装,SMD 元件在多层电路板中更具优势。

5. 应用场景

MMSZ3V6T1G广泛应用于多种电子电路中,包括但不限于:

  • 稳压电源: 在电源电路中提供稳定的电压输出以保护敏感电路。
  • 电路保护: 可用于限流、稳压、过电压保护等场合,确保设备正常运行。
  • 信号整形: 在信号传输电路中,通过稳压功能实现波形整形及数据稳定传输。
  • 自动化设备: 因其高温适应性,MMSZ3V6T1G在自动化设备和工控设备中为常用的稳压元件之一。

6. 竞争优势

MMSZ3V6T1G作为一款集成了高性能和广泛适应性的稳压二极管,其几个关键优势如下:

  • 高稳定性和准确性: 该器件在宽温范围内保持参数稳定,适合多种应用需求。
  • 低泄漏电流: 使得其在长期应用中的能效高,尤其在电池供电的应用场景中尤为重要。
  • 小型封装: 节省空间且易于集成至复杂的电路设计中。

总结

MMSZ3V6T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款性能优越的稳压二极管,凭借其优良的电气特性、广泛的工作温度范围及紧凑的SOD-123封装,成为了电子设计中不可或缺的组件。该器件适用于各种电源和信号稳定需求,对现代电子产品的设计和功能具有重要影响。无论是用于汽车电子、工业控制、还是消费电子领域,MMSZ3V6T1G都能够提供可靠且高效的性能支持。