SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3 产品概述

一、基本信息

SIRA62DP-T1-RE3 是由威世半导体（VISHAY）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装。该器件专门设计用于在高电流和高效率的电源管理应用中提供卓越的性能。具有出色的热性能和电气特性，使其在不同领域广泛应用。

二、主要特性

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
• 漏源电压（Vdss）: 30V，适用于中等电压的应用环境。
• 最大连续漏极电流 (Id): 25°C 时为 51.4A；在更高的环境温度下（Tc），则可达 80A，证明其出色的电流处理能力。
• 驱动电压: 具有可选择的驱动电压范围，分别为 4.5V 和 10V，以适应不同的电路设计需求。

三、电气特性

• 导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 驱动下，其导通电阻在 15A 电流时的最大值为 1.2 毫欧，这在降低导通损耗和提高系统效率方面展现了极大的优势。
• 阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的最大 Vgs(th) 为 2.2V（@ 250µA），意味着它在较低电压下即可启动，提升了驱动的灵活性和适应性。
• 栅极电荷（Qg）: 在 10V 驱动下，栅极电荷为 93nC，有助于实现快速开关特性，并减小开关损耗。
• 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 4460pF（@15V），为设计者提供了较宽的选择，能够与多种驱动电路兼容。

四、热性能

• 功率耗散: SIRA62DP-T1-RE3 的最大功率耗散为 5.2W（Ta），在更高的环境温度下可达 65.7W（Tc），表明其在高负载条件下的稳定性和可靠性。
• 工作温度: 器件支持的工作温度范围广泛，-55°C 至 150°C（TJ），使其能够在严苛的工业应用环境中稳定运行。

五、应用领域

SIRA62DP-T1-RE3 的设计适用于各种电力管理应用，包括但不限于：

• DC-DC 转换器
• 开关电源
• 电机驱动和控制
• 太阳能转换器
• 高频开关电路
• 汽车电子应用

凭借其出色的电气特性和热性能，该 MOSFET 能够有效应对高要求的功率处理任务，并且其强大的电流输出能力和低导通电阻特性使其成为设计高效能源系统的理想选择。

六、封装与安装

该器件采用流行的 PowerPAK® SO-8 表面贴装型封装，具有紧凑的尺寸和良好的热管理特性，适合现代电子设计中的空间限制。同时，SO-8 封装的优势在于其优越的散热性能，有效降低了器件在工作过程中的热积累。

七、总结

SIRA62DP-T1-RE3 是一款结合高性能、高电流能力与良好热稳定性的 N 通道 MOSFET，广泛适用于各种电源管理应用。其优异的电气和热特性使其成为工程师在设计高效、可靠、经济的电路时的重要选择。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域，该器件都能提供可靠的解决方案，帮助实现高效的能源利用与转换效果。