FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 220mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,2.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.6 欧姆 @ 50mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.4nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 58pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 350mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
BSS138K是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计旨在满足多种电子应用的需求。凭借其优良的电气特性和适应广泛应用场景的能力,BSS138K在电子设备中广受欢迎,尤其是在开关和放大电路中表现卓越。
电压与电流能力:
导通电阻:
阈值电压:
温度范围:
封装与安装方式:
输入电容和栅极电荷:
BSS138K的性能使其成为多种应用场景下的理想选择,包括但不限于:
开关电源:
信号调理:
电池供电设备:
LED驱动电路:
汽车电子:
综合来看,BSS138K是一款高性价比的N通道MOSFET,具备出色的电气特性和广泛的应用场景。无论是工业应用、消费电子还是汽车电子,BSS138K的稳定性和可靠性使其成为设计师和工程师的首选器件。它适应性能优越的特点,使其能够为现代电子设备提供高效、可靠的解决方案。