电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 16V | 容差 | ±2% |
功率 - 最大值 | 250mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 40 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50nA @ 11.2V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
BZX84B16LT1G 是安森美(ON Semiconductor)制造的一款稳压二极管,广泛应用于电源管理和线路保护等领域。该器件以其优异的电压稳定性和高效的温度跨度,成为设计人员在选择低功耗稳压解决方案时的重要选择。
BZX84B16LT1G 的标称稳压电压(Vz)为16V,电压容差为±2%。该器件在其正常工作条件下表现良好,确保输出电压的稳定性。它的最大功率为250mW,使其适合用于中等功率应用。该器件的最大阻抗(Zzt)为40Ω,进一步提高了其在不稳定电压环境下的表现。
在反向偏置状态下,BZX84B16LT1G 的反向泄漏电流为50nA @ 11.2V,表明在正常工作电压和温度下,器件的能量损耗可控制在一个非常低的范围,有助于提高整个电路的效率。这一特性使其在低电流保护电路和精密电压参考电路中尤为重要。
在正向偏置条件下,BZX84B16LT1G 的正向电压(Vf)为900mV @ 10mA。这一低正向压降使得该器件在逻辑电平转换和信号调理应用中显示出简易、高效的优点。
该稳压二极管的工作温度范围广泛,从-65°C 到 150°C。这一能力确保了 BZX84B16LT1G 在各种恶劣环境下仍然可靠工作,特别适合于航空航天、汽车电子和工业自动化等领域。
BZX84B16LT1G 采用表面贴装型(SMD)封装,封装类型为 SOT-23-3(TO-236),这一小型封装形式不仅节省了电路板的空间,也简化了后续的贴装工艺。SOT-23 封装的设计使得该元器件能够适应密集电子模块的需求。
BZX84B16LT1G 在电源管理、电压限制和过流保护等多个领域中均展现出了卓越的性能。在电源设计中,它可用于稳压电源的输出端,帮助维护负载端的电压稳定,防止过电压对后续元件造成损害。在信号调理电路中,它可以防止信号过量引起的系统崩溃,保护敏感元件。
另一个重要的应用领域是工业控制系统,其中需要保护信号线和控制逻辑免受电压尖峰的影响。在消费电子产品中,BZX84B16LT1G 也常用于流行电池供电设备的电压调节。
综上所述,BZX84B16LT1G 为设计人员提供了一种高效稳定的电压保护解决方案,凭借其适应广泛工况的能力和低功耗特性,成为各种现代电子设备中不可或缺的组成部分。无论是在家用电器、工业设备,还是在移动设备中,BZX84B16LT1G 均能确保有效的电压管理,降低系统故障风险,提升用户体验。选择 BZX84B16LT1G,可以在设计中降低复杂性与成本,同时提升整体系统的可靠性。