功率(Pd) | 1.32W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 95pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 43mΩ@4.5V,1.5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.3nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 650pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 3.2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
产品名称: HSS2307A
类型: P沟道场效应管 (MOSFET)
功率额定值: 1W
电压额定值: 30V
电流额定值: 3.2A
封装类型: SOT-23-3
品牌: HUASHUO(华朔)
一、产品简介
HSS2307A 是一款由华朔(HUASHUO)生产的高性能P沟道场效应管,其关键参数包括最大功率1W、耐压30V和最大电流3.2A,采用SOT-23-3封装。P沟道MOSFET是电子电路设计中非常重要的元器件之一,常用于开关和放大电路中,尤其适用于对电流和电压有较高要求的场合。
二、技术参数与特性
结构优势: HSS2307A 采用了先进的MOSFET制造工艺,其P沟道模式使其在低阈值电压下具备优良的开关性能。P沟道MOSFET特别适用于负载的高侧开关,能够有效地控制负载电流,改善系统效率。
可靠性: 此MOSFET具有优良的热稳定性和耐压能力,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。其每个封装都经过严格的测试,以确保其在不同应用环境中的可靠性与寿命。
封装特点: HSS2307A的SOT-23-3封装体积小、引脚排列整齐,有助于提高PCB的集成度和可靠性。SOT-23-3封装也易于焊接和自动化生产,适合大量生产的电子应用。
电气特性: 在实际应用中,HSS2307A MOSFET的最大漏源电流(ID)为3.2A,最大漏源电压(VDS)为30V,满足多种功率转化和控制需求。这款产品还具有较低的导通电阻(RDS(on)),确保在导通状态下热量生成最小化,提高了工作效率。
三、应用领域
HSS2307A P沟道MOSFET 可广泛应用于以下领域:
电池管理系统: 由于其高侧开关特性,HSS2307A适合用于电源管理和电池充电/放电控制。
电动工具: 适用于电动机控制,能够提高电动工具的性能和延长使用寿命。
LED驱动电路: 此产品可有效控制LED的开关,为LED灯具提供高效的驱动解决方案。
消费电子: 适合在手机、平板电脑、智能家居等多个电子产品中作为负载驱动元件。
电源转换器: 在DC-DC转换器中,HSS2307A作为开关元件,可协助实现高效的电源转换。
四、总结
HSS2307A 是一款优秀的P沟道 MOSFET,具有较高的性能和可靠性,广泛适用于各类电子设备和电源管理系统。其1W功率、30V耐压、3.2A电流和SOT-23-3封装为设计师提供了灵活的设计选择。对于需要高效开关控制、低功耗的应用场合,HSS2307A无疑是一个理想的解决方案。
结合其技术指标与应用领域,HSS2307A将为各种电子产品提供稳定的性能支持,帮助制造商在竞争激烈的市场中脱颖而出。对于寻求高质量、高可靠性的场效应管的工程师和设计师来说,HSS2307A 是一个值得信赖的选择。