晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA,500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧,100 欧姆 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz,200MHz | 功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | SMT6 |
IMD10AT108是由知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)推出的一款高性能数字晶体管,集成了1个NPN和1个PNP型晶体管,采用预偏压式设计,极大地提升了电路的灵活性和可靠性。其符合现代电子设备对小型化、低功耗、高效率的需求,非常适用于各种数字电路和模拟电路的应用场景。
IMD10AT108在电流(Ic)与电压(Vce)方面具备良好的性能,具有100mA和500mA两个不同的集电极电流最大值,特别适合在多种负载条件下工作。其集射极击穿电压最大值为50V,确保在较高电压环境下稳定工作。
此外,IMD10AT108在不同目标电流时展现出优异的DC电流增益(hFE),在1mA和5V的条件下最小增益为100,而在100mA和5V时,增益下降至68。这一特性使得IMD10AT108在多个应用中能够兼顾效率与输出能力。
IMD10AT108在基极电流(Ib)与集电极电流(Ic)条件下的饱和压降最大值为300mV,适用于小信号开关和驱动电路。其集电极截止电流最大值为500nA,极低的截止电流表现出在待机状态下的良好节能性,符合绿色环保设计的趋势,能够有效降低设备的整体功耗。
IMD10AT108具有高频跃迁能力,NPN型晶体管的工作频率可达250MHz,而PNP型晶体管则为200MHz,适合于高速开关应用和射频电路。同时,其功率处理能力最高可达300mW,使得该器件在多种应用中都能够应对高负载条件,而不易出现过热失效的现象。
IMD10AT108采用SOT-457封装,尺寸小巧,极其适合表面贴装(SMT)技术,使得其在现代紧凑型电子设备中的应用愈加灵活。这样的封装设计不仅方便了自动化生产,也有效地节省了PCB空间,满足了日益增长的小型化和轻量化趋势。
IMD10AT108适用于广泛的电子产品中,包括但不限于:
综上所述,IMD10AT108是一款功能强大且高效的集成数字晶体管,兼具了高电流、小体积、低功耗和高频性能,是集成电路设计中的理想选择。无论是在工业电子、消费电子,还是在通信设备中,这款器件都将凭借其卓越的性能与广泛的应用前景,为设计师和工程师提供强有力的支持。ROHM凭借其持续创新与研发能力,确保IMD10AT108符合现代市场的需求,为各类电子应用带来新的可能性。