FDN338P
FDN338P参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 115 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.2nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 451pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
FDN338P手册
FDN338P概述
FDN338P 产品概述
一、基本信息
FDN338P 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET（场效应管），其设计用于广泛的电子应用中，尤其是数据线开关、功率管理和电源转换设备。该器件由安森美半导体（ON Semiconductor）生产，采用了便于表面贴装的 SuperSOT-3 封装，具备出色的小型化特性，使其适合各类空间受限的应用场景。
二、关键参数
类型：FDN338P 是一种 P 通道 MOSFET，适用于 N 通道 MOSFET 不能满足的特定需求。
漏源电压（Vdss）：FDN338P 的漏源电压达到 20V，使其在多种电压范围内都能稳定工作，适合低电压电路应用。
最大持续漏极电流（Id）：在环境温度 25°C 下，FDN338P 可以承受高达 1.6A 的连续漏极电流，适应负载电流变化的需求。
导通电阻 (Rds On)：在 4.5V 的驱动电压下，FDN338P 的最大导通电阻仅为 115 毫欧，这意味着其在工作时能够显著减少功率损耗，从而提高整体能效。
阈值电压（Vgs(th)）：该器件的 Vgs(th) 最大值为 1.5V（在 250µA 的条件下），使其能够在较低电压条件下开通，适合低功耗设计的需求。
栅极电荷（Qg)：FDN338P 在 4.5V 时的最大栅极电荷为 6.2nC，低栅极电荷值意味着其能够快速切换，从而提高开关频率，适合于高频应用。
工作温度范围：其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保器件在各种严酷的环境条件下都能稳定运行，适合汽车和工业应用。
功率耗散：器件的最大功率耗散为 500mW，进一步增强了其在高负载情况下的可靠性。
三、应用场景
FDN338P 的性能特征使其在多个领域中具有广泛应用，主要包括：
电源管理：适用于 DC-DC 转换器、开关电源等领域，有助于提高能效和降低功耗。
电机驱动：在低功率电机驱动中，FDN338P 提供了有效的开关控制。
信号开关：可用于音视频设备、数据传输线路的信号选择开关。
消费电子：适合用于手机、平板电脑等消费电子产品中的电源管理和负载切换。
汽车电子：由于其优异的耐温性能，该器件适合应用于汽车电子控制系统，如 LED 车灯开关、传感器接口等。
四、封装和安装
FDN338P 采用 SuperSOT-3 封装，具有小巧轻便的特性，非常适合要求高密度布局的电路板。它的封装符合环保标准，便于自动化生产和安装。
五、总结
FDN338P 是一款高效、可靠的 P 通道 MOSFET，具备多种优秀的电气特性，适用于广泛的应用场合。其高输入和输出电流能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，使其成为工程师在设计和尺量电路时的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制领域，FDN338P 都能提供出色的性能和价值，是推动现代电子技术发展的重要组成部分。