BSC110N06NS3G 产品实物图片
BSC110N06NS3G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSC110N06NS3G

商品编码: BM0207982984
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 50W 60V 50A 1个N沟道 TDSON-8-EP(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
14.92
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥14.92
--
100+
¥13.56
--
1250+
¥13.16
--
2500+
¥12.9
--
5000+
¥12.66
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC110N06NS3G参数

功率(Pd)50W反向传输电容(Crss@Vds)590pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,50A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)33nC@10V
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)2.7nF@30V连续漏极电流(Id)50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@23uA

BSC110N06NS3G手册

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BSC110N06NS3G概述

BSC110N06NS3G 产品概述

产品背景

BSC110N06NS3G 是由英飞凌 (Infineon) 生产的一款高性能 N 沟道场效应管 (MOSFET),其设计用于高效能功率管理和电力转换应用。MOSFET 是现代电子电路中不可或缺的元器件,广泛应用于电源转换、电机控制和快速开关的场合。BSC110N06NS3G 具备优异的电气性能和热管理特性,适合在要求高效率和可靠性的应用中使用。

主要规格

  • 额定功率: 50W
  • 最大漏极-源极击穿电压 (VDS): 60V
  • 最大漏极电流 (ID): 50A
  • 封装类型: PG-TDSON-8
  • 封装尺寸: 5mm x 6mm
  • 通道类型: N 沟道

关键特性

  1. 高效率: BSC110N06NS3G 的低 RDS(on) 值,使其在开关过程中能够减少功率损耗,从而提高整体效率。该 MOSFET 适合用于高频率和高开关速度的应用,提高系统的整体性能。

  2. 热管理: 由于其小巧的 PG-TDSON-8 封装设计,BSC110N06NS3G 能够有效提升散热性能。在紧凑的空间内,依然可以合理散热,这有助于维持器件的稳定性和延长使用寿命。

  3. 耐高压能力: 该产品的最高击穿电压为 60V,使其能够在较高电压条件下稳定工作。使其在高压电源和逆变器应用中表现出色。

  4. 强大的驱动能力: 最大漏极电流为 50A,BSC110N06NS3G 能够处理较大的负载电流,适用于需快速切换电流的各种应用场景,如电源模块、电动机驱动等。

应用领域

  • 开关电源 (SMPS): BSC110N06NS3G 可用于 AC-DC 变换器和 DC-DC 变换器,可以提高开关电源的效率与稳健性。

  • 电机控制: 在各种电动工具、电动车辆及家电中,该 MOSFET 帮助实现高效的电机驱动控制。

  • 电池管理系统: 在电池充电和放电过程中,其优越的电流处理能力和低导通阻抗,使其能够高效管理电池的工作状态,延长其使用寿命。

  • 逆变器: BSC110N06NS3G 经常用在光伏逆变器和其他可再生能源系统中,因其优秀的性能在中高功率转换中非常可靠。

总结

BSC110N06NS3G 作为一款高效能的 N 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气性能和可靠的散热能力,成为了电力电子和电机控制应用中的理想选择。无论是在工业、消费电子还是可再生能源领域,该产品都能满足日益增长的功率和效率需求。作为英飞凌提供的一项重要元器件,BSC110N06NS3G 为用户提供了出色的性能和可信赖的质量保障,助力实现更高效、更智能的电力管理解决方案。