IDB30E120ATMA1
IDB30E120ATMA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 二极管类型 | 标准 |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 50A（DC） | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1200V | 反向恢复时间 (trr) | 243ns |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 2.15V @ 30A | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100µA @ 1200V |
IDB30E120ATMA1手册
IDB30E120ATMA1概述
产品概述：IDB30E120ATMA1
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-263-3, D²Pak (2 引线 + 接片)
零件状态：有源
二极管类型：标准元件
概览
IDB30E120ATMA1 是由 Infineon Technologies 生产的一款高性能超软硅功率二极管。这款二极管设计用于极具挑战性的电气环境，能够承受高达 1200V 的反向电压，且具有 50A 的DC平均整流电流能力，适用于多种工业与电力电子应用。其优越的温度性能以及快速恢复特性使其成为设计工程师的重要组件选择。
关键参数
整流能力：IDB30E120ATMA1 的平均整流电流 (Io) 达到 50A，是执行大功率控制和转换的理想选择。它的高负载能力可以支持各种高功率需求的应用，如电源供应和驱动器。
反向电压：该产品的最大反向电压(Vr)为 1200V，具备强大的电压耐受能力，能够有效防止电压尖峰对电路产生的不良影响。
快速恢复特性：二极管的反向恢复时间(trr)为 243ns，且在 > 200mA 的平均整流电流下工作，这使其在高频开关应用中表现出色。其快速恢复能力降低了开关损耗以及EMI（电磁干扰），在高频运作时尤其重要。
低正向电压降：在 30A 的电流条件下，其正向电压降 (Vf) 仅为 2.15V，这意味着在工作过程中产生的热量和功率损耗较低，有助于提高整体能效。
反向泄漏电流：在 1200V 时，反向泄漏电流仅为 100µA，显示出优异的绝缘性能，适合高电压应用中的长期可靠性需求。
工作温度：IDB30E120ATMA1 的结温范围从 -55°C 到 150°C，提供了广泛的应用适应能力，特别是在恶劣环境下使用时，确保元件的稳定工作。
封装与安装
无论在空间受限还是复杂布局的电路板中，TO-263-3的表面贴装封装均展示出了其安装及焊接的便利性。D²Pak 封装设计便于安装在多种PCB设计中，降低了需要的空间同时提高了散热性。这些特性结合使得 IDB30E120ATMA1 在现代电子设计中成为一种高效的方案。
应用领域
IDB30E120ATMA1 可在多个应用领域中发挥重要作用，包括：
- 电源转化：在电源供应器和开关电源转换器中，作为整流放大器元件，确保高效能量传输和转换。
- 工业设备：适用于各类工业驱动器、变频器和电动机控制系统，满足高功率密度及高效率的设计需求。
- 可再生能源系统：在光伏发电及风电系统中，可以用作整流和逆变的关键元件，提升系统效率及稳定性。
- 汽车电子：其高温及高电压能力也使其非常适合在汽车电气系统中使用，保障其在极端条件下的可靠性。
环保认证
IDB30E120ATMA1 也符合 IEC61249-2-21 标准，确保其在使用中是无卤素的，对环境友好，符合现代电子设计对于可持续性的要求。
结论
综上所述，IDB30E120ATMA1 是一款高度可靠且性能卓越的超软硅功率二极管，适用于各种高功率及高频率的应用场景。其稳定性和高性能使其成为电力电子设计中的优选组件，适合于对效率、可靠性及环境影响有严格要求的现代应用。