功率(Pd) | 21W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 278pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 34mΩ@4.5V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.55nF@15V | 连续漏极电流(Id) | 20A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
AP3908QD是铨力(ALLPOWER)公司出品的一款高性能场效应管(MOSFET),配备了一个N沟道和一个P沟道的MOSFET,包装为DFN-8-EP(3.2x3.1mm)。其额定功率为21W,最大电压可达30V,电流能力高达20A,使其在多种电子应用中表现出色。
高功率承受能力:AP3908QD具有较高的功率处理能力(21W),适合在需要高功率驱动的电路中使用,如DC-DC变换器、电机驱动和高效能电源供应等。
电压及电流规格:本器件的工作电压高达30V,最大电流可支持20A,能够满足大多数中小型电源和负载的需求。这使得AP3908QD成为广泛应用于低压和中压供电电路的理想选择。
双MOSFET设计:集成的N沟道和P沟道MOSFET能够简化电路设计,减少外部元件的数量,同时提高了系统的整体可靠性和稳定性。它们的互补特性使得在交替导通和关断时,能有效减少开关损耗。
DFN-8-EP封装:DFN封装具有良好的热传导特性和较小的占板面积,适合在空间受限且需要有效散热的应用场合。不仅有效提升了散热性能,还优化了电路布局。
低导通电阻:该MOSFET在导通时表现出非常低的R_DS(ON)值,能显著减少在特定工作条件下的导通损耗,提升整体能效。
AP3908QD适用于各种电子应用,包括但不限于:
开关电源:由于其高功率和低导通电阻,AP3908QD非常适合用于开关电源设计中,提供高效能和稳定的电压输出。
电动机驱动:在电动车或机器动物用电动机驱动的应用中,该MOSFET的高电流能力可很好地支撑电动机的启动和稳定运行。
LED驱动:其高开关速度和高电流推动能力使AP3908QD非常适合作为LED驱动器,尤其是在要求快速开关和高效率的照明应用中。
电源管理:可用于电池供电的设备,提高能量转换效率,有效延长电池使用时间。
消费电子:在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,广泛应用于功率管理、信号调节等场合。
AP3908QD是铨力公司推出的一款高效能N沟道与P沟道MOSFET,凭借其高功率承受能力、多应用场景适用性、低损耗特性,成为多个电子产品中不可或缺的核心组件。无论是在高效的电源设计,还是在复杂的电动机控制中,AP3908QD都能为工程师提供便捷与高效的解决方案,帮助他们优化设计、降低成本并提升产品性能。
在选择MOSFET时,AP3908QD以其出色的参数和稳定性,无疑是值得推荐的理想选择。