安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.2 毫欧 @ 28A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Ta) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4230pF @ 30V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 53nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta),195W(Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
CSD18540Q5B 是德州仪器(Texas Instruments,TI)推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有出色的电气性能和广泛的应用场景。它以其出色的开关特性和散热能力,成为多个高功率和高效率电源设计中的理想选择。
CSD18540Q5B 作特定设计明确适用于电源管理及其他高电流应用,其规格如下:
CSD18540Q5B 的特性使其适用于众多应用领域,包括但不限于:
CSD18540Q5B 采用8-VSON-CLIP(5x6)封装,体积紧凑,适合于空间有限的设计。它的表面贴装型设计便于与各种PCB进行自动化焊接和安装,提高了生产效率。由于在设计中考虑到散热问题,该封装有助于在集成电路中保持较低的工作温度,提高总体系统的稳定性和寿命。
CSD18540Q5B 是一款高效能、低导通电阻且能够承受高电流的N沟道MOSFET,具有广泛的应用潜力和良好的工作温度特性。其卓越的电气参数使其成为高效电源管理和电力转换方案的理想选择。在现代电子设计中,能够确保系统的高效性和可靠性,使其成为工程师设计中不可或缺的重要元器件。