CSD18540Q5B 产品实物图片
CSD18540Q5B 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CSD18540Q5B

商品编码: BM0203640857
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
8-VSON-CLIP(5x6)
包装 : 
编带
重量 : 
0.203g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W;195W 60V 100A 1个N沟道 VSON-8(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
9.59
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.59
--
100+
¥8.27
--
1250+
¥7.88
--
2500+
¥7.5
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

CSD18540Q5B参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.2 毫欧 @ 28A,10V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Ta)FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4230pF @ 30VVgs(最大值)±20V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)53nC @ 10V
漏源电压(Vdss)60V功率耗散(最大值)3.1W(Ta),195W(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250µA

CSD18540Q5B手册

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CSD18540Q5B概述

CSD18540Q5B 产品概述

引言

CSD18540Q5B 是德州仪器(Texas Instruments,TI)推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有出色的电气性能和广泛的应用场景。它以其出色的开关特性和散热能力,成为多个高功率和高效率电源设计中的理想选择。

主要技术规格

CSD18540Q5B 作特定设计明确适用于电源管理及其他高电流应用,其规格如下:

  • 安装类型:表面贴装型,便于自动化生产和集成。
  • 导通电阻(Rds(on)):在Vgs为10V,Id为28A时,导通电阻的最大值为2.2毫欧。这一特性确保了它在高电流运行时能够保持低功耗,减少热量损耗。
  • 驱动电压:可以在4.5V到10V的Vgs下工作,允许在多种工作条件下灵活使用。
  • 连续漏极电流(Id):可以在25°C时持续承受100A的电流,表明其强大的负载能力。
  • 漏源电压(Vds):额定电压为60V,可以满足许多典型的电力应用需求。
  • 功率耗散:在环境温度为25°C时,最大功率耗散为3.1W,而在结温(Tc)为25°C时最大功率耗散可达195W,表明该器件的散热性能优异,适用于高功率应用。
  • 工作温度范围:适应的工作温度范围非常宽广,从-55°C到150°C,适合在极端环境条件下使用。
  • 输入电容(Ciss):在30V条件下最大输入电容为4230pF,这一低输入电容值有助于提高开关频率,提高系统效率。
  • 栅极电荷(Qg):在Vgs为10V时,栅极电荷最大为53nC,确保了快速的开关响应特性。
  • 阈值电压(Vgs(th)):相比于普通MOSFET,CSD18540Q5B的Vgs(th)最大为2.3V,在250µA的漏电流下,使得器件可以在较低的驱动电压下开启,增强了其适应性。

应用领域

CSD18540Q5B 的特性使其适用于众多应用领域,包括但不限于:

  1. DC-DC 转换器:广泛用于开关电源、降压和升压转换器中,能够提高电源效率。
  2. 电动车充电桩:适合大功率电源设计,提高充电效率,缩短充电时间。
  3. 电机驱动:在工业和汽车应用中可用于电机控制,满足高电流和高响应速度的需求。
  4. 可再生能源系统:如光伏逆变器和能源存储系统,确保高效率的能量转换。

封装和设计

CSD18540Q5B 采用8-VSON-CLIP(5x6)封装,体积紧凑,适合于空间有限的设计。它的表面贴装型设计便于与各种PCB进行自动化焊接和安装,提高了生产效率。由于在设计中考虑到散热问题,该封装有助于在集成电路中保持较低的工作温度,提高总体系统的稳定性和寿命。

总结

CSD18540Q5B 是一款高效能、低导通电阻且能够承受高电流的N沟道MOSFET,具有广泛的应用潜力和良好的工作温度特性。其卓越的电气参数使其成为高效电源管理和电力转换方案的理想选择。在现代电子设计中,能够确保系统的高效性和可靠性,使其成为工程师设计中不可或缺的重要元器件。