IRFBE20PBF
IRFBE20PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 530pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 54W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFBE20PBF手册
IRFBE20PBF概述
产品概述：IRFBE20PBF - N 通道 MOSFET
IRFBE20PBF 是一款由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）出品的高性能 N 通道 MOSFET。该器件采用了先进的金属氧化物半导体技术，专为高电压和高电流应用而设计，具有优良的开关特性和热性能，适用于各种要求苛刻的电子电路和系统。
主要规格和特性
漏源电压 (Vdss)： IRFBE20PBF 的漏源电压最高可达 800V，使其成为高压应用中极为理想的选择。它能够稳定地应对多种高压场合，保障电路的安全性和可靠性。
连续漏极电流 (Id)： 在 25°C 的工作环境下，器件的连续漏极电流可达 1.8A。这一参数使得 IRFBE20PBF 能够满足多数中等功率应用的需求，如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及开关电源等。
导通电阻 (Rds(on))： 在 Vgs = 10V 和 Id = 1.1A 的条件下，IRFBE20PBF 的最大导通电阻为 6.5 欧姆。较低的 Rds(on) 值有效降低了在驱动负载时的功耗和热量生成，提高了设备的工作效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th))： 此器件的 Vgs(th) 最大值为 4V，表示在栅极电压达到 4V 时能够开启并开始导流。这样的特性保证了 MOSFET 在低电压驱动环境下的稳定性。
栅极电荷 (Qg)： IRFBE20PBF 在 Vgs = 10V 时的最大栅极电荷为 38nC。较低的 Qg 值意味着该器件在开关过程中能够实现更快的响应速度，适合高频应用，减少开关损耗和提高系统的整体效率。
功率耗散与工作温度： 最大功率耗散为 54W（在 Tc 条件下），同时支持从 -55°C 到 150°C 的宽工作温度范围，使其能够应用于严苛的环境条件。
封装： IRFBE20PBF 使用 TO-220AB 封装，这种通孔安装的设计方便了散热与布线，适应较高功率应用的需要。
应用场合
IRFBE20PBF 适合多种应用场合，包括但不限于：
- 开关电源： 由于其高耐压及效率，在电源转换领域得到广泛应用，尤其在高频开关电源中。
- 电机控制： 适用于直流电机和步进电机的驱动，能够提供强大的电流支持。
- 便携式设备： 适合用于变压器驱动、负载开关等。
- 逆变器： 在太阳能逆变器和其他可再生能源系统中，IRFBE20PBF 可用作开关器件，确保能量高效转换和利用。
总结
总的来说，IRFBE20PBF 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压、高电流能力以及优良的导通特性，其在多个电子应用中表现出色。作为 VISHAY 的高可靠性产品，IRFBE20PBF 一定能在多种电子设计中提供稳定的性能和长久的使用寿命，极大地满足工程师在设计复杂电路时的需求。