FDMS2572 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FDMS2572

商品编码: BM0203480824
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
8-MLP (5x6), Power56
包装 : 
编带
重量 : 
0.107g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 78W 150V 27A 1个N沟道 Power-56-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.45
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.45
--
100+
¥1.11
--
750+
¥0.925
--
1500+
¥0.841
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

FDMS2572参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)150V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.5A(Ta),27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)47 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)43nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2610pF @ 75V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),78W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-MLP (5x6), Power56
封装/外壳8-PowerWDFN

FDMS2572手册

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FDMS2572概述

FDMS2572 产品概述

FDMS2572 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为高效能电子设备和电力管理应用而设计,具有出色的电流承载能力和低导通电阻。这款器件由知名半导体制造商安森美(ON Semiconductor)出品,封装为 8-MLP (5x6) 的 Power56 形式,适合表面贴装(SMD)应用。

关键参数

  • 漏源电压(Vdss):FDMS2572 的漏源电压为 150V,适用於高压环境下的应用,能够应对瞬时过电压问题。
  • 电流能力:在 25°C 的环境温度下,FDMS2572 的连续漏极电流(Id)为 4.5A,在硅芯片温度(Tc)达到特定条件下,其最大电流能力可达 27A,适合高负载应用。
  • 导通电阻(Rds On):在 10V 的栅极驱动电压下,器件的导通电阻最大值为 47 毫欧,对于 4.5A 的工作电流而言,这一低值可以显著降低功耗并提高系统的效率。
  • 栅极驱动电压:FDMS2572 的栅极驱动电压范围在 6V 至 10V 之间,这使得其适配于多种驱动电路设计,同时能够保证最低限度的导通电阻。
  • 阈值电压(Vgs(th)):该MOSFET 的最大阈值电压为 4V @ 250µA,允许电路设计师在选择驱动电压时有更大的灵活性。
  • 工作温度范围:FDMS2572 可以在 -55°C 至 150°C 的宽温范围内可靠工作,适合苛刻环境下的应用。

应用场景

FDMS2572 的高电流承载能力和低导通电阻使其广泛应用于各种电力管理系统和电子设备中,具体应用包括:

  1. 电源转换器:适用于开关电源(SMPS)、反激式电源和其它直流-直流转换器中,有助于提高能效并减轻热量生成。
  2. 电机驱动:能够承受高电压和大电流,适合用于直流电机、步进电机及伺服电机的驱动电路。
  3. 照明设备:在 LED 驱动器和其他照明应用中作为开关元件,有助于提高光源的工作效率,降低功耗。
  4. 消费电子:可用于各种电子设备,如电池管理系统、便携式设备和计算机外围设备,提供高效的功率转换和管理。
  5. 汽车电子:适合用于汽车电气系统中的电源管理、驱动电路及控制单元,保证高可靠性和工作效率。

性能优势

FDMS2572 相较于传统的 MOSFET 器件,具有如下性能优势:

  • 低功耗:得益于其低导通电阻和高工作效率,这款 MOSFET 能显著减少功耗,尤其在持续高负载的应用场景中。
  • 高热稳定性:广泛的工作温度范围使其在恶劣环境中依然可以稳定工作,提升了器件的可靠性。
  • 紧凑封装:其 8-MLP (5x6) 的封装设计,使得其适合高密度的电路板设计,节省空间并优化电气性能。

结论

FDMS2572 是一款兼具高电流承载能力和低导通电阻的 N 通道 MOSFET,适用于多种高效能电力转换和管理场景。随着全球对能效的日益关注,这款器件的广泛应用将有效帮助工程师和设计师在各自的项目中实现更高的性能与可靠性。