FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A(Ta),27A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 47 毫欧 @ 4.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 43nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2610pF @ 75V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),78W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-MLP (5x6), Power56 |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
FDMS2572 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为高效能电子设备和电力管理应用而设计,具有出色的电流承载能力和低导通电阻。这款器件由知名半导体制造商安森美(ON Semiconductor)出品,封装为 8-MLP (5x6) 的 Power56 形式,适合表面贴装(SMD)应用。
FDMS2572 的高电流承载能力和低导通电阻使其广泛应用于各种电力管理系统和电子设备中,具体应用包括:
FDMS2572 相较于传统的 MOSFET 器件,具有如下性能优势:
FDMS2572 是一款兼具高电流承载能力和低导通电阻的 N 通道 MOSFET,适用于多种高效能电力转换和管理场景。随着全球对能效的日益关注,这款器件的广泛应用将有效帮助工程师和设计师在各自的项目中实现更高的性能与可靠性。