安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
配置 | 2 个独立式 | 阻抗(最大值)(Zzt) | 90 Ohms |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 3.9V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
功率 - 最大值 | 200mW | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3µA @ 1V |
容差 | ±6% |
BZX84C3V9S-7-F 是一款由著名电子元器件制造商 DIODES(美台)生产的齐纳二极管阵列。这款产品采用表面贴装型(SMD)封装,采用 SOT-363 封装形式,具有优异的热性能和电气特性,非常适合于现代电子设备的紧凑设计需求。以下将从其主要参数、特性、应用场合以及相关优势等方面进行详细介绍。
BZX84C3V9S-7-F 的核心参数包括:
BZX84C3V9S-7-F 具备以下几个显著特性与优势:
高性能表面贴装设计:SOT-363 构造使其极大地降低了安装空间,同时提高了电路设计的灵活性和效率。
优秀的电流与电压特性:适用于多种应用场景,特别是在需要稳定电压与控温的系统,如电源电路、信号调节等。
广泛的工作温度范围:其工作温度范围宽广,使得该元件在汽车电子、工业设备等恶劣环境下表现出色,满足不同行业的使用需求。
低反向泄漏特性:在实际应用中,低反向泄漏电流意味着设备待机功耗降低,可以有效提升电路的整体能效。
双通道配置:内置两个独立的齐纳二极管,使其能够同时处理不同的电压或信号,提高了电路的集成度和应用的灵活性。
BZX84C3V9S-7-F 可广泛应用于以下领域:
BZX84C3V9S-7-F 齐纳二极管阵列将高性能与高适应性完美结合,能够在要求严格的工业及汽车电子领域中展现良好的特性。作为一款成熟的电子元器件,其表面贴装型的设计与可靠的电气特性使其成为现代电路设计中不可或缺的组件之一。选择 BZX84C3V9S-7-F 将为您的电路设计带来高度的可靠性与性能保障。