二极管配置 | 3 个独立式 | 二极管类型 | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 250V | 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 200mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 200mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
反向恢复时间 (trr) | 50ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 200V |
工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
BAS21TWQ-7 是一款由 DIODES(美台)公司制造的开关二极管,其针对小信号应用设计,具备出色的电气特性和宽广的工作温度范围,因而广泛用于电子电路设计中。这款二极管在封装和集成方面的优越表现,使其在现代电子设备中得到了广泛的应用,是电路设计师和工程师理想的选择。
BAS21TWQ-7 配置了三个独立式标准二极管,封装形式为 SOT-363,适合表面贴装(SMD)技术,极大地简化了电路布局,节省了PCB空间。该封装的尺寸小巧,使其在紧凑型电子设备及手持设备中表现得尤为出色。每个二极管的平均整流电流(Io)为200mA,最大直流反向电压(Vr)可达250V,允许它在多种功能和负载条件下稳定工作。
BAS21TWQ-7 的正向电压(Vf)在200mA时为1.25V,展现出了低功耗特性,使其在高频交换电路中能够有效地减少功耗和热量生成,提高整体系统的效率。此外,该器件的反向恢复时间(trr)为50ns,这意味着它在频繁启停或开关的情况下能够迅速恢复到非导通状态,适合高频率的开关应用。
其反向泄漏电流在200V时为100nA,这使得该二极管在未导通时表现出极低的泄漏特性,进一步提升了其稳定性和可靠性。这一参数尤其重要,在某些应用中,过高的泄漏电流可能导致电路的异常工作和能耗增加。因此,BAS21TWQ-7 在低功耗和高效能的电路设计中展现出极大的优势。
BAS21TWQ-7 的工作温度范围为 -65°C 至 +150°C,这种广泛的温度适应性使得其成为汽车电子、工业控制、家用电器等需要在极端温度环境中稳定工作的产品的理想选择。这种可靠性也使得该器件在苛刻的应用条件下能够持续发挥作用,满足不同行业的需求。
由于其优异的电气特性,BAS21TWQ-7 可被广泛应用于诸如开关电源、整流电路、保护电路以及信号处理等各类电子电路中。具体应用包括:
总之,BAS21TWQ-7 是一款性能卓越的开关二极管,凭借其出色的电气特性、广泛的应用范围和适应性,成为电子设计师及工程师的理想选择。其小巧的封装形式与独立的结构配置,加之极低的反向泄漏电流与广泛的工作温度,进一步巩固了其在现代电路中的地位。在追求高效率,低功耗及高可靠性的电子应用场景中,BAS21TWQ-7 将为设计师们提供强有力的支持。