2N7002VAC-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2N7002VAC-7

商品编码: BM0202396244
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1个N沟道 SOT-563
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.836
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.836
--
200+
¥0.576
--
1500+
¥0.524
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

2N7002VAC-7参数

FET 类型2 N-通道(双)FET 功能标准
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)280mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.5 欧姆 @ 50mA,5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)50pF @ 25V功率 - 最大值150mW
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-563

2N7002VAC-7手册

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2N7002VAC-7概述

2N7002VAC-7 产品概述

概述

2N7002VAC-7是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),专为各种电子电路设计而优化。该器件具有超过60V的漏源电压(Vdss)和最大280mA的连续漏极电流(Id),使其在功率开关和信号调节等应用中表现优异。其低导通电阻和宽工作温度范围使其成为理想的选择,适用于工业、消费电子和汽车等各类应用。

主要参数

  1. FET 类型及功能

    • 该器件属于双N-通道MOSFET,设计用于标准用途,具有高效的开关能力和良好的线性特性。
  2. 电气特性

    • 漏源电压(Vdss):该器件能够承受最高60V的漏源电压,适合高压应用。
    • 连续漏极电流(Id):在25°C环境下,2N7002VAC-7最大可承受280mA的电流,使其能够支持多种负载条件。
    • 导通电阻(Rds(on)):在50mA、5V的条件下,其最大导通电阻为7.5欧姆,显示了优良的导通性能,从而降低了功耗并提高了效率。
    • 阈值电压(Vgs(th)):最大阈值电压为2.5V(@ 250µA),这表明该器件具有相对较低的开启电压,便于兼容大多数控制信号,尤其是在低电压系统中尤为重要。
  3. 输入电容(Ciss)

    • 该器件的输入电容最大值为50pF(@ 25V),这有助于确保开关速度快,降低开关损耗,从而提高开关频率性能。
  4. 功率与温度

    • 此MOSFET的最大功率为150mW,可满足多种低功耗电路的需求。其工作温度范围为-55°C至150°C,适合在恶劣环境下工作,使其非常适合汽车和工业控制等领域的应用。

封装与安装

2N7002VAC-7采用SOT-563封装,表面贴装型设计使其在现代电路设计中适应小型化和高密度布局的需求。该封装尺寸小且便于自动化生产流程,有助于提高生产效率和降低组装成本。

应用领域

2N7002VAC-7广泛应用于各种电子设备中,涵盖的领域包括:

  1. 消费电子:智能手机、平板电脑以及其他便携式设备中的电源管理和信号开关。
  2. 汽车电子:用于电源开关、负载驱动和传感器信号调理等。
  3. 工业控制:在PLC(可编程逻辑控制器)和传感器接口等应用中,作为开关和信号调节器。
  4. 通信设备:在RF(射频)接口、信号处理和功率放大电路中使用。

结论

综上所述,2N7002VAC-7是一款功能齐全、高效能的N沟道MOSFET,适用于广泛的电子应用。其兼具高电压、高电流和低导通电阻的特性,使其在现代电子设计中成为一种理想的选择。无论是在消费电子、汽车、工业控制还是通信领域,2N7002VAC-7都能提供卓越的性能与可靠性。