DMN2050L-7
DMN2050L-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 29 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.7nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 532pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN2050L-7手册
DMN2050L-7概述
DMN2050L-7 产品概述
DMN2050L-7 是一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），由知名品牌 DIODES（美台）生产。这款 MOSFET 采用先进的金属氧化物半导体技术，在性能和功效上都表现出色，适用于多种电子电路应用。以下是其主要特点和应用场景的详细概述。
主要参数
类型与封装：DMN2050L-7 是一种 N 通道 MOSFET，采用 SOT-23-3 封装（TO-236-3，SC-59）。该封装类型使得其在表面贴装时占用空间小，更适合于对空间要求较高的电路设计。
电气特性：
- 漏源电压（Vdss）：最大 20V，使其适合于低电压应用，能够有效地承受电流。
- 持续漏极电流（Id）：在 25°C 下，可持续承载 5.9A 的电流，适合各类驱动需求。
- 栅极源电压（Vgs）的最大值：±12V，提供良好的灵活性，以适应不同的工作环境，以及提供适合的驱动电压。
- 导通电阻（Rds(on)）：在 4.5V 时，最大导通电阻为 29 毫欧，并在 5A 电流下保持此值，确保高效的电流通过能力。
- 输入电容（Ciss）：在 10V 时，输入电容最大值为 532pF，允许快速开关，适用于高频应用。
热性能：
- 功率耗散：最大功率耗散为 1.4W，在提供稳定性能的同时，有效防止过热。
- 工作温度范围：从 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围，使其适合于极端环境中的使用，并确保长时间的可靠性。
栅极电荷（Qg）：在 4.5V 时，栅极电荷（Qg）最大值为 6.7nC，表明能够快速响应 控制信号，相应的开关速度有助于提升电路效率。
启用电压（Vgs(th)）：在 0.25mA 的检测电流下，阈值电压（Vgs(th)）的最大值为 1.4V，意味着其可以在较低的栅极电压下开启，有助于降低功耗。
应用场景
DMN2050L-7 MOSFET 由于其出色的电气特性和热管理能力，广泛应用于多个领域：
开关电源：可用作 DC-DC 转换器中的开关元件，帮助提高能量转化效率。
电机驱动：在电机控制系统中，DMN2050L-7 可用于高效的驱动，以实现精确控制和高效运行。
消费者电子：适用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理，确保设备在高负载情况下的稳定性。
汽车电子：其广泛的温度范围使其非常适合在汽车电气系统中使用，无论是电源管理还是信号放大器。
工业控制系统：在自动化和控制系统中，广泛应用于驱动和切换电路。
结论
DMN2050L-7 是一款高效、耐用且适应性强的 MOSFET，满足了多种现代电子设备的需求。凭借其高电流承载能力、低导通电阻和良好的热性能，DMN2050L-7 为设计工程师提供了一个可靠的解决方案，使其在复杂的电力管理和信号处理任务中展现出色的表现。无论是在消费类电子产品、工业设备还是汽车应用中，它都是一个理想的选择。