晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 100 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 100 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 82 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-523 |
供应商器件封装 | SOT-523 |
DDTA115EE-7-F 是一款由 DIODES(美台)公司生产的 PNP 型数字晶体管。该器件结合了高性能和小型化设计,适合于多种电子应用。这款晶体管采用 SOT-523 封装,表面贴装类型,具备良好的引脚设计,便于在现代电路板上进行高密度安装。
晶体管类型:DDTA115EE-7-F 是一款 PNP 预偏压晶体管,这使得它在控制和驱动应用中表现出色。
电流 - 集电极 (Ic):此型号的最大集电极电流可达到 100mA,能够支持多种低到中等功率的应用。
电压 - 集射极击穿(最大值):最大击穿电压为 50V,适用于常见的低压电路环境。
直流电流增益 (hFE):在不同的 Ic 和 Vce 条件下,直流电流增益最小为 82,特别是在 5mA 和 5V 的情况下表现出色。此增益特性使得 DDTA115EE-7-F 在信号放大和开关操作中具有较高效率。
饱和压降:当 Ib 和 Ic 的工作点为 250µA 和 5mA 时,最大饱和压降仅为 300mV。这不仅有助于提高电路的能效,还可以降低功耗生成的热量。
集电极截止电流:最大截止电流为 500nA,表明器件在关闭状态下的漏电流非常小,有助于提升电路的整体稳定性。
频率 - 跃迁:DDTA115EE-7-F 的跃迁频率为 250MHz,适用于高速开关应用,对于大多数数字电路的需求都能得到满足。
功率 - 最大值:其最大功率为 150mW,确保在高负载条件下也可稳定工作。
电阻器 - 基极 (R1) 和 电阻器 - 发射极 (R2):基极电阻和发射极电阻均为 100 kOhms,为外部设计提供了灵活性和稳定性。
DDTA115EE-7-F 的设计使其特别适合于以下应用场景:
开关电路:由于其低饱和压降和高频率特性,适用于快速切换的场合,如信号开关、继电器驱动等。
信号放大:在音频和视频设备中,DDTA115EE-7-F 可被用作信号放大器,有助于提升信号强度和稳定性。
数字电路:作为数字电路中的逻辑元件,DDTA115EE-7-F 可以用于构建各种数字逻辑门和其他复杂电路。
便携式设备:其较低功耗和较小封装设计使其适合用于便携式电子设备,如移动电话、平板电脑和其他手持设备。
DDTA115EE-7-F 采用 SOT-523 封装,具有小型化、高效率和出色的热管理性能。这种封装方式广泛应用于现代电子产品中,便于自动化组装。
总之,DDTA115EE-7-F 是一款高性能的 PNP 预偏压数字晶体管,凭借其优异的电流增益和低功耗特性,在众多电子应用中都可提供可靠的性能。其独特的封装设计为高密度电路板安装提供了便利,为现代电子产品的功能和效率提升做出了重要贡献。购买此款产品,能够确保您的项目在性能、稳定性与经济性上的最佳平衡。