DDTA115EE-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA115EE-7-F

商品编码: BM0202395452
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-523
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.289
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.289
--
200+
¥0.186
--
1500+
¥0.163
--
3000+
¥0.144
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA115EE-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)100 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)82 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-523
供应商器件封装SOT-523

DDTA115EE-7-F手册

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DDTA115EE-7-F概述

DDTA115EE-7-F 产品概述

一、基本信息

DDTA115EE-7-F 是一款由 DIODES(美台)公司生产的 PNP 型数字晶体管。该器件结合了高性能和小型化设计,适合于多种电子应用。这款晶体管采用 SOT-523 封装,表面贴装类型,具备良好的引脚设计,便于在现代电路板上进行高密度安装。

二、技术参数

  1. 晶体管类型:DDTA115EE-7-F 是一款 PNP 预偏压晶体管,这使得它在控制和驱动应用中表现出色。

  2. 电流 - 集电极 (Ic):此型号的最大集电极电流可达到 100mA,能够支持多种低到中等功率的应用。

  3. 电压 - 集射极击穿(最大值):最大击穿电压为 50V,适用于常见的低压电路环境。

  4. 直流电流增益 (hFE):在不同的 Ic 和 Vce 条件下,直流电流增益最小为 82,特别是在 5mA 和 5V 的情况下表现出色。此增益特性使得 DDTA115EE-7-F 在信号放大和开关操作中具有较高效率。

  5. 饱和压降:当 Ib 和 Ic 的工作点为 250µA 和 5mA 时,最大饱和压降仅为 300mV。这不仅有助于提高电路的能效,还可以降低功耗生成的热量。

  6. 集电极截止电流:最大截止电流为 500nA,表明器件在关闭状态下的漏电流非常小,有助于提升电路的整体稳定性。

  7. 频率 - 跃迁:DDTA115EE-7-F 的跃迁频率为 250MHz,适用于高速开关应用,对于大多数数字电路的需求都能得到满足。

  8. 功率 - 最大值:其最大功率为 150mW,确保在高负载条件下也可稳定工作。

  9. 电阻器 - 基极 (R1)电阻器 - 发射极 (R2):基极电阻和发射极电阻均为 100 kOhms,为外部设计提供了灵活性和稳定性。

三、应用领域

DDTA115EE-7-F 的设计使其特别适合于以下应用场景:

  • 开关电路:由于其低饱和压降和高频率特性,适用于快速切换的场合,如信号开关、继电器驱动等。

  • 信号放大:在音频和视频设备中,DDTA115EE-7-F 可被用作信号放大器,有助于提升信号强度和稳定性。

  • 数字电路:作为数字电路中的逻辑元件,DDTA115EE-7-F 可以用于构建各种数字逻辑门和其他复杂电路。

  • 便携式设备:其较低功耗和较小封装设计使其适合用于便携式电子设备,如移动电话、平板电脑和其他手持设备。

四、封装与安装

DDTA115EE-7-F 采用 SOT-523 封装,具有小型化、高效率和出色的热管理性能。这种封装方式广泛应用于现代电子产品中,便于自动化组装。

结语

总之,DDTA115EE-7-F 是一款高性能的 PNP 预偏压数字晶体管,凭借其优异的电流增益和低功耗特性,在众多电子应用中都可提供可靠的性能。其独特的封装设计为高密度电路板安装提供了便利,为现代电子产品的功能和效率提升做出了重要贡献。购买此款产品,能够确保您的项目在性能、稳定性与经济性上的最佳平衡。