BAS70-04Q-7-F
BAS70-04Q-7-F参数
| 二极管配置 | 1 对串联 | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 70mA（DC） | 二极管类型 | 肖特基 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 15mA |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 70V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 125°C |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 50V |
BAS70-04Q-7-F手册
BAS70-04Q-7-F概述
BAS70-04Q-7-F 产品概述
概述
BAS70-04Q-7-F 是由DIODES（美台）公司推出的一款高性能肖特基二极管，该器件采用表面贴装型封装（SOT-23），能够有效地满足现代电子设备对高效能与小型化的需求。其设计专注于低正向压降和快速恢复时间，使其成为电源管理、开关电源和高频应用等场景的理想选择。
主要特性
肖特基二极管设计： BAS70-04Q-7-F 采用肖特基结构，具有低正向压降特性。其在15mA电流下的正向电压（Vf）为1V，确保了在高效能传输场合有较低的功耗，从而提升系统的整体效能。
平均整流电流： 该二极管的每个二极管的平均整流电流（Io）为70mA（DC），保证了在相应电流负载下依然可以稳定工作，适合用于多个低电流应用中。
反向电压能力： BAS70-04Q-7-F的最大反向直流电压（Vr）可达到70V，使其能够在较高的反向电压环境中安全工作。这种高耐压特性适合各类电源电路，特别是需承受高电压瞬态的场合。
快速恢复时间： 本产品的响应速度较快，其恢复时间小于或等于500ns，相比于传统二极管，能有效减少切换损耗，提高系统的开关效率，适配于高频信号处理。
低反向泄漏电流： 当施加50V反向电压时，其反向泄漏电流小于或等于100nA。这一特性确保设备在待机状态下能够进一步降低功耗，提升设备的能效。
宽工作温度范围： BAS70-04Q-7-F可以在-55°C至125°C的工作结温范围内使用，适应多种环境条件，确保产品的长期可靠性与稳定性。
应用场景
结合其主要特性，BAS70-04Q-7-F 特别适合以下应用场景：
电源管理： 其低正向压降和高频特性使得BAS70-04Q-7-F成为DC-DC转换器及LDO稳压器的重要组成部分，能助力提升整体电源转化效率。
整流器： 结合对于低电流需求的强健能力，BAS70-04Q-7-F可用于电源整流器设计中，尤其在较小封装要求的场合，能够占用更小的板级空间。
信号处理： 其快速恢复时间能有效支持 RF 应用及高速数字信号处理，适合用作保护电路元件免受高电压瞬态干扰。
电池管理系统（BMS）： 由于其极低的反向泄漏电流，BAS70-04Q-7-F 在电池监控及管理应用中能够有效延长电池的使用寿命，减少不必要的能量损耗。
封装与环保信息
BAS70-04Q-7-F采用 SOT-23 封装，具有较小的体积和良好的热性能，适合用于现今的超小型化电子电路。同时，DIODES公司在生产过程中遵循ROHS标准，确保产品绿色环保，符合现代电子产品设计的高标准。
总结
总的来说，BAS70-04Q-7-F 是一款性能卓越且极具应用灵活性的肖特基二极管。其在电源管理、信号处理及电池管理等领域的广泛应用，必将推动电子设计的更高效能和更小型化。通过其高性能特点和优异的环境适应性，BAS70-04Q-7-F将为各种现代电子设备提供强有力的支持与保护。