BZT52C4V3TQ-7-F

产品概述：BZT52C4V3TQ-7-F

1. 产品简介

BZT52C4V3TQ-7-F 是一款由 DIODES（美台）制造的稳压二极管，具有卓越的电气特性和广泛的应用潜力。这款二极管的标称齐纳电压为 4.3V，能够在多种电子电路中有效地提供电压稳压功能，以保护敏感组件免受电压波动的影响。该器件采用 SOD-523 的表面贴装型封装，除了具备紧凑的体积外，还具备较好的热性能和电气性能，因而成为现代电子设计的理想选择。

2. 关键参数

• 电压（Vz）：4.3V，这一齐纳电压使得该二极管非常适合用于低电压电路的稳压。
• 容差：±7%，保证了在不同工作条件下的电压稳定性。
• 功率：最大值为 300mW，确保该二极管在正常使用中不会超过其功率限制。
• 阻抗（Zzt）：最大值为 90Ω，影响了器件的动态性能和电流响应特性。
• 反向泄漏电流：在 1V 时为 3µA，低反向泄漏特性使其更加适合高阻抗电路。
• 正向电压（Vf）：900mV @ 10mA，提供了对正向电流应用的良好适应性。
• 工作温度范围：-65°C 至 150°C，意味着该二极管可以在严苛的环境条件下稳定工作。
• 封装类型：SOD-523（SC-79），该封装在空间受限的应用中具有显著的优势。

3. 应用领域

BZT52C4V3TQ-7-F 稳压二极管的穷尽性能使其适用于一系列应用，包括但不限于：

• 电源管理：在各类电源模块中作为过电压保护元件，用于稳定输出电压。
• 信号调理：在模拟电路中保护敏感元件，防止电压过高对信号的影响。
• LED驱动电路：在 LED 驱动电路中维持恒定电压，有效延长 LED 的使用寿命。
• 高频应用：由于其低引脚电感和小型化设计，该二极管也可以应用于高频信号电路。

4. 特性与优势

• 低功率损耗：300mW 的功率评级确保了在负载变化时器件的稳定性，降低了功耗。
• 高效率：高齐纳电压和低受限反向泄漏电流使其在稳压应用中具有较高的效率。
• 紧凑的封装：SOD-523 封装有效节省了电路板空间，提高了设计灵活性。
• 宽工作温度范围：该稳压二极管能够在极端温度下正常工作，使其适用于汽车、工业和微控制器应用等严酷环境。

5. 总结

BZT52C4V3TQ-7-F 是一款高效稳定的稳压二极管，结合了出色的电气性能和灵活的应用范围。其设计考虑到了各种工作条件，为广大电子工程师在方案设计中提供了富有保障的组件选择。随着现代电子设备对性能与体积的双重要求，BZT52C4V3TQ-7-F 锐意进取，定将成为电子设计领域的重要角色。

总之，采用 BZT52C4V3TQ-7-F 的设计方案必将带来更高的可靠性和更好的鲁棒性，为最终产品的成功提供坚实的保障。