FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 850mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 750 毫欧 @ 430mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.7nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 49pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 500mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
DMP2900UV-7是DIODES公司推出的一款高性能P沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足多种电子应用中的开关和放大需求。这款FET具有优异的电气特性和广泛的应用范围,在性能与可靠性之间取得了良好的平衡。
DMP2900UV-7采用SOT-563表面贴装封装,适合在空间受限的应用中使用。它的漏源电压(Vdss)为20V,能够满足一般低压电源应用的需求。该器件在25°C时的连续漏极电流(Id)可达到850mA,适合在多种负载条件下进行高效操作。
在导通状态下,DMP2900UV-7展示了优越的导通电阻(Rds(on)),在不同电流(Id)和栅极电压(Vgs)条件下的最大值为750毫欧(@ 430mA, 4.5V)。这种低电阻特性使得器件在负载工作时能够显著降低功耗,从而提高整体系统的能效。
DMP2900UV-7的阈值电压(Vgs(th))在不同Id条件下最大值为1V(@ 250µA),表明它的开启电压较低,这为设计工程师在选择驱动电压时提供了灵活性。栅极电荷(Qg)的最大值为0.7nC(@ 4.5V),这一特性有助于提高开关速度,降低开关损耗,适合高频率开关应用。
输入电容(Ciss)的最大值为49pF(@ 16V),这一电容值影响了器件的开关特性和驱动电路的设计,较小的输入电容可以有效降低驱动功率的损耗。
DMP2900UV-7的最大功率处理能力为500mW(@ Ta),并且它能在 -55°C 到 150°C 的工作温度范围内正常工作。这一广泛的温度适应性使其在高温环境和恶劣条件下依然可以稳定运行,因此非常适合工业、汽车电子和消费电子等领域的应用。
DMP2900UV-7可广泛应用于多种电子电路设计中,包括但不限于:
由于其出色的性能和多样化的应用场景,DMP2900UV-7被视为一种可靠且经济的选择,能够帮助工程师实现高效、低功耗和高可靠性的设计。
总的来说,DMP2900UV-7是一款功能强大且多用途的P沟道场效应管,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和高效能,适合各种电子设备和系统的设计需求。它的表面贴装型设计也符合现代电子产品对小型化和高性能的要求。选择DMP2900UV-7,意味着在项目设计中将获得更高的灵活性和更好的性能表现。