晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 270mV @ 450mA,4.5A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 10mA,2V |
功率 - 最大值 | 350mW | 频率 - 跃迁 | 215MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
ZXTN25020DFLTA 是一款高性能的 NPN 型晶体管,由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)出品。其在功率和频率方面的优越性能,兼具可靠的电气特性和耐用的工作温度范围,使其成为多种电子应用中的理想选择。该产品的设计特别适合高频和低功耗电路,广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
ZXTN25020DFLTA 作为一款 NPN 晶体管,其能够支持最大 2A 的集电极电流,非常适合于需要较高驱动能力的电子电路。这种高电流能力结合 20V 的较高击穿电压,保证了器件在高电压和高电流应用中仍保持稳定的工作状态。
在功耗方面,该产品的最大功率为 350mW,具备较低的饱和压降(最大 270mV),在较大的 collector current(如 4.5A)下也表明其良好的开关特性。这对于电源管理、开关电路及线性放大器应用是一个重要的优势。
ZXTN25020DFLTA 具备高达 215MHz 的跃迁频率,适合高速开关和射频应用。这使其在高频信号处理方面表现优秀,能够满足现代通信设备对速度和效率的高要求。
ZXTN25020DFLTA的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,适用于极端环境下的应用。这一特性使其在汽车电子、工业控制及航空航天等领域拥有出色的适应性。
产品采用 SOT-23-3 的封装形式,便于表面贴装安装,符合现代电子设备对小型化和轻量化的需求。SOT-23-3封装的设计优化了热管理,使得晶体管在集成到紧凑电路板时仍能有效散热,从而保障器件的稳定性。
基于以上特性,ZXTN25020DFLTA 适合于多种应用场景,包括:
ZXTN25020DFLTA 是一款性能强大、适用范围广泛的 NPN 晶体管,其出色的电气特性和可靠的工作性能使其成为现代电子产品设计中不可或缺的组件。无论是用于高频应用,还是在高功率输出场景,该器件均能提供杰出的性能表现,是电子工程师解决复杂电路问题的优选方案。