DMT6009LPS-13
DMT6009LPS-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.6A（Ta），87A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±16V | 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1925pF @ 30V |
DMT6009LPS-13手册
DMT6009LPS-13概述
DMT6009LPS-13 产品概述
制造商与系列介绍
DMT6009LPS-13 是由 Diodes Incorporated 制造的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），属于其汽车级产品系列，符合 AEC-Q101 标准。这一标准确保了元器件在严格的汽车应用环境中具有高可靠性和稳定性，适合在高温和恶劣条件下工作。
基本参数概述
DMT6009LPS-13 的典型应用包括电源管理、电机驱动和其它需要高效开关的电子设备。采用 PowerDI5060-8 的表面贴装型封装，这款 MOSFET 不仅具有优秀的热管理能力，其小尺寸也方便在空间受限的设计中使用。
额定电流与漏源电压
该 MOSFET 的连续漏极电流（Id）在 25°C 环境下为10.6A，而在更高的环境温度下可承载高达 87A，表现出极好的热适应性。漏源电压（Vdss）输出高达 60V，这使得 DMT6009LPS-13 在绝大多数中高压应用中都能保持优异的性能表现。电气特性
DMT6009LPS-13 在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻（Rds On）最大值为10毫欧，这意味着其在导通状态下能够保持极低的能耗，有助于提升系统效率并减少发热。此外，栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为2V，确保其能在低压下快速开启和关断，提高了开关速度。热管理特性
此 MOSFET 的最大功率耗散能力为2.3W，且其工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C（TJ），这使其在各种极端环境下都能稳定工作。无论是在高温或低温环境中，DMT6009LPS-13 的稳定性和可靠性都能够满足应用需求。
应用场景
DMT6009LPS-13 特别适合于汽车电子、工业控制、开关电源（SMPS）、便携式设备及其他需要高效开关的应用。它的低导通电阻和高电流能力使其尤其适合用作电源管理中枢，能够有效控制用电设备如电机驱动器、LED 驱动器和电池管理系统（BMS）。
其他电气特性
- 栅极电荷（Qg）：该组件在 10V 驱动电压下，栅极电荷（Qg）为 33.5nC，较低的栅极电荷使得它在频繁开关应用中能有效减少驱动功耗。
- 输入电容 (Ciss)：Ciss 在 30V 时最大值为 1925pF，适合高速开关操作。
总结
总的来说，DMT6009LPS-13 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，具备优异的电气性能和优秀的热管理能力。其宽广的工作温度范围和高额定电流使其成为汽车、工业及消费电子产品中不可或缺的元件。凭借其低导通电阻和符合汽车级标准的设计，DMT6009LPS-13 能够在各种严苛环境下持续提供卓越的性能。