DMP3165LQ-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP3165LQ-7

商品编码: BM0202394794
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 800mW 30V 3.3A 1个P沟道
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.733
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.733
--
200+
¥0.505
--
1500+
¥0.46
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP3165LQ-7参数

功率(Pd)800mW反向传输电容(Crss@Vds)35pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@10V,3.3A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)2nC
漏源电压(Vdss)30V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)300pF@10V连续漏极电流(Id)3.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@250uA

DMP3165LQ-7手册

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DMP3165LQ-7概述

DMP3165LQ-7 产品概述

一、产品简介

DMP3165LQ-7 是一款由 DIODES(美台)生产的 P 沟道场效应管(MOSFET)。该元件在设计上主要针对高效能的开关电子电路,广泛应用于电源管理、负载开关、直流至直流转换器(DC-DC 转换器)等领域。其功率处理能力为 800mW,工作电压最高可达 30V,电流额定值为 3.3A,能够满足各种电子系统对功率和效能的需求。

二、主要特点

  1. 封装与尺寸:DMP3165LQ-7 采用 SOT23 封装,这种小型封装形式非常适用于紧凑型电子设备,减少了电路板的占用空间,提高了布局的灵活性。

  2. 高效率:在其额定工作条件下,DMP3165LQ-7 显示出良好的导通电阻(RDS(on)),这意味着在开关操作时功耗较低,从而提升了整个电路的能效。

  3. 额定电流与电压:该 MOSFET 可以承受高达 30V 的栅源电压,并提供 3.3A 的最大连续工作电流,非常适合在低至中等功率的应用场景中使用。

  4. P 沟道设计:作为一种 P 沟道MOSFET,DMP3165LQ-7 支持高侧开关设计,这在电源管理中常常用来控制负载的通断,为电路提供更高的设计灵活性。

三、应用领域

DMP3165LQ-7 的应用领域非常广泛,可以在不同的电力和信号控制项目中找到它的身影:

  1. 电源管理:该 MOSFET 在电源开关电路中起着至关重要的作用,包括但不限于开关电源、线性电源、DC-DC 转换器等。

  2. 负载开关:其高效能和小型化设计使得 DMP3165LQ-7 非常适合用于负载开关应用,如各类电子设备的电源管理,激活和关闭不同的负载电流。

  3. 汽车电子:在汽车电子控制系统中,MOSFET 常用于电动机驱动、制动系统及灯光控制等电路中,DMP3165LQ-7 也能够满足这些需要。

  4. 消费电子产品:如手机、平板电脑及其他便携式设备,因其封装小巧且效率高,适合消费电子产品中用于低功耗开关和调节功能。

  5. 工业设备:实际上,这种 MOSFET 也可以在工控设备、机器人控制及其他需可靠控制的工业用途领域中得到应用。

四、性能参数

  • 最大功率: 800mW
  • 最大电压: 30V
  • 最大电流: 3.3A
  • 工作温度范围: 在线性应用中环境温度应控制在 -55°C 至 +150°C 之间。

五、总结

DMP3165LQ-7 的推出为电子工程师和设计师提供了一款高效、可靠的小型 P 沟道 MOSFET。它的低导通电阻、高效能以及小巧的 SOT23 封装,使其在现代电子应用中成为一个理想的选择。无论是用于电源管理、负载开关,还是在汽车电子和消费类产品中,DMP3165LQ-7 都能展现出优异的性能,为电子工程的创新和设计提供坚实的基础。其可靠性和出色的电气特性不仅提升了设计的灵活性,也为产品的最终性能注入了强大的动力。