晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 900V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 250mA,1A |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 5 @ 1A,2V | 功率 - 最大值 | 1W |
频率 - 跃迁 | 4MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) |
供应商器件封装 | TO-92 |
APT13003NZTR-G1是一款高性能的NPN型晶体管,具有卓越的电气特性和宽广的应用范围,适合在多个电子设备中使用。作为DIODES(美台)品牌下的一款产品,APT13003NZTR-G1在工艺和性能上都具有优良的表现。
APT13003NZTR-G1是一款NPN型晶体管,其集电极电流(Ic)的最大值为1.5A,电压 - 集射极击穿(Vce)最大值可达到900V。这使其在高电压和高电流的应用场合中,能够提供有效的信号放大和开关功能。晶体管的饱和压降(Vce(sat))在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下表现出色,例如在Ic为250mA和1A时,最大饱和压降为400mV,有助于减少功耗,提升效率。
该器件的直流电流增益(hFE)在1A及2V时的最小值为5,确保了该晶体管在放大电流信号时具备良好的增益特性。此外,APT13003NZTR-G1的最大功率额定为1W,并能在频率跃迁达到4MHz时正常工作,适应现代高频和高效能的电子电路需求。其宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)使得该三极管特别适合于工业、汽车及航空航天等恶劣环境应用。
APT13003NZTR-G1采用TO-92封装,这是一种通孔封装,便于在各种电路板上进行安装和配置。TO-92是一种常见且成熟的封装形式,既有助于散热,又便于焊接和部件的更换,这在维修和二次开发中显得尤为重要。
APT13003NZTR-G1广泛应用于多种电子电路中,包括但不限于:
此外,由于其高耐压和高电流特性,使其也适合用于功率转换和调节电路,以及需要高效能的运算与控制电路。
APT13003NZTR-G1晶体管采用了优质的半导体材料,结合精密的工艺设计,确保其在长时间的使用过程中具备良好的稳定性及可靠性。这种结构确保了器件的长期工作性能,即使在高温或高负载条件下,也能保持其电气特性。
APT13003NZTR-G1是一款功能强大、灵活性高的NPN晶体管,适用于多个领域与应用场景。其出色的性能参数和工作稳定性使其成为现代电子设计中不可或缺的核心部件。无论是需要高电流输出的开关电源,还是需要精确信号调节的放大器,APT13003NZTR-G1都能为工程师提供理想的解决方案。