晶体管类型 | NPN - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 120V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.5V @ 5mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 3000 @ 1A,5V |
功率 - 最大值 | 1.5W | 频率 - 跃迁 | 120MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 | 供应商器件封装 | SOT-23F |
基本信息 ZXTN04120HFFTA 是一款 NPN 达林顿晶体管,专为需要高电流增益和高电压耐受性的应用设计。该器件的主要特点包括最大集电极电流 (Ic) 为 1A,集射极击穿电压 (Vce) 可达 120V。其独特的设计使得该器件具有极高的 DC 电流增益,最小值可达到 3000,同时具备较低的饱和压降,最大为 1.5V(在 5mA 和 2A 的情况下测量)。
电气特性
电流特性:ZXTN04120HFFTA 在标准工作条件下,具有最小的 DC 电流增益 (hFE) 3000,适用于多个高增益的放大应用。其集电极截止电流最大为 10µA,确保了其在关闭状态下的功耗极低。
电压和功率:集射极击穿电压高达 120V,适合高电压应用。功耗方面,该达林顿管的最大功率为 1.5W,保证了其在高负载条件下的稳定性和可靠性。
饱和压降:在设计中,Vce 饱和压降最小为 1.5V,这使得其在驱动较大负载时仍能保持良好的效率,尤其在需要快速切换的电路中表现优异。
频率响应 ZXTN04120HFFTA 拥有高达 120MHz 的跃迁频率,使其在高频应用中也能表现出色,如开关电源、频率调制等场合,这一点在现代电子设计中尤为重要。
工作温度 该达林顿管能够在极端环境下工作,其工作温度范围为 -55°C 到 150°C,适用于广泛的工业和消费电子产品,特别是航空航天、汽车电子及其他要求严苛的环境。
封装和安装 ZXTN04120HFFTA 采用 SOT-23F 封装,提供面贴型安装方式。这种设计不仅减小了 PCB 占用空间,而且有助于提高生产效率和降低生产成本,适合高密度组装的电子产品。
应用场合 ZXTN04120HFFTA 广泛应用于以下领域:
总结 ZXTN04120HFFTA 是一款极具竞争力的 NPN 达林顿晶体管,具有高电流增益、高耐压、低饱和压降和宽工作温度范围,是满足现代电子产品在不同应用中高性能需求的理想选择。无论是在严苛的工业环境,还是在人口密集的消费电子市场,均能保证其出色的性能和稳定性。作为 DIODES 品牌的一员,ZXTN04120HFFTA 也保证了产品的高质量和可靠性,帮助设计师更轻松地实现复杂电路的设计需求。