制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 散装 |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 750mV @ 50mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 10mA,2V | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | E-Line-3 | 供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
功率 - 最大值 | 1W | 基本产品编号 | ZTX790A |
ZTX790A 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 NPN 晶体管,专为各种电子应用设计。作为一种有源元器件,ZTX790A 广泛应用于放大器、开关电源和其它需要高电流和高增益的电路。其优越的性能参数和可靠的工作特性使其成为工业、消费类电子产品以及其他需要功率控制的设备中的理想选择。
ZTX790A 晶体管的设计特点包括其高电流和电压处理能力。其最大集电极电流可达到 2A,并且在付出 40V 作为击穿电压的情况下,能够确保良好的电气性能。众多应用只有依靠高电流增益才能实现有效的信号放大,而 ZTX790A 的直流增益(hFE)在 10mA 时可达到 300,确保它在信号放大电路中具备了优越能力。
此外,ZTX790A 的饱和压降为 750mV,这在设计诸如高效开关电源、继电器驱动以及电机控制电路时尤为重要。较低的饱和压降可以最大程度地减少功耗,优化热管理。
其工作温度范围为 -55°C 至 200°C,符合极端条件下工作的需求,使 ZTX790A 适合于军用、航空航天及宽广的工业应用。
ZTX790A 的广泛应用包括但不限于:
选择 ZTX790A,设计师能够获得以下优势:
ZTX790A 作为一种高效能 PNP 晶体管,凭借其卓越的技术规格与应用灵活性,成为众多电子设计和应用中的关键元件。其稳定的电属性和高可靠性确保了在各种电气环境中的出色表现,是广大电子工程师在构建高效、高可靠性电路时的重要选择。