制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 类型 | 齐纳 |
电压 - 反向断态(典型值) | 8V | 电压 - 击穿(最小值) | 8.89V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 13.6V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 29.4A |
功率 - 峰值脉冲 | 400W | 电源线路保护 | 无 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 2-SMD,扁平引线 | 供应商器件封装 | D-Flat |
单向通道 | 1 |
P4SMAJ8.0ADF-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能齐纳二极管,专为瞬态电压抑制(Transil)应用而设计,主要用于保护电子电路免受过电压击穿的影响。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,封装形式为 D-Flat,提供简单方便的安装方式。
1. 反向电压特性: P4SMAJ8.0ADF-13 的典型反向电压为 8V,且其最小击穿电压为 8.89V。这使得该器件在提供过电压保护时,能够有效地抑制电压峰值,同时保持在安全工作区域内。
2. 瞬态响应能力: 该二极管具有卓越的瞬态反应能力,能承受高达 29.4A 的峰值脉冲电流(在 10/1000µs 的脉冲宽度下),以及峰值脉冲功率达到 400W。这使其能够有效地处理短时间内的电压冲击,如静电放电(ESD)、电浪涌等现象。
3. 工作温度范围: P4SMAJ8.0ADF-13 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C(TJ),这使得其可适应多种恶劣环境条件,以及符合高温应用的需要。在高温下工作时,器件仍能保持其电气性能,保证了电路的稳定运行。
4. 封装与安装: 该器件采用卷带(TR)包装,便于自动化贴片作业,减少人工操作,提升生产效率。其 D-Flat 的封装形式也设计得十分紧凑,有助于降低在板上的占用空间,适应日渐紧凑的电路设计要求。
5. 单向通道设计: P4SMAJ8.0ADF-13 为单向通道设计,这意味着它只允许电流在一个方向上流动,使其特别适合防止正向过电压出现,增加了设备的保护性能。
P4SMAJ8.0ADF-13 广泛应用于需要可靠电压保护的电子设备中,例如:
作为一款高效、可靠的瞬态电压抑制二极管,P4SMAJ8.0ADF-13 提供了卓越的过电压保护性能,适用于多种场景。其广泛的工作温度范围、优越的脉冲电流承受能力以及紧凑的封装设计,均为其在现代电子设计中提供了良好的适用性和可靠性。选择 P4SMAJ8.0ADF-13 是实现电子设备安全和可靠性的明智选择。