制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 类型 | 齐纳 |
电压 - 反向断态(典型值) | 10V | 电压 - 击穿(最小值) | 11.1V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 17V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 23.5A |
功率 - 峰值脉冲 | 400W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 2-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | D-Flat | 单向通道 | 1 |
P4SMAJ10ADF-13 是由美台Diodes Incorporated制造的一款高性能齐纳二极管,也被称为瞬态电压抑制器(TVS二极管)。该器件设计用于对瞬间高电压脉冲进行保护,广泛应用于各种电子设备和电路中,确保这些设备在面对电压冲击时能够保持稳定性和可靠性。
电气特性
工作环境
P4SMAJ10ADF-13 适于广泛的应用领域,包括但不限于:
P4SMAJ10ADF-13 二极管结合了高击穿电压与优越的脉冲电流处理能力,可以在瞬态高电压条件下有效降低电路中的电压波动。此外,它的广泛工作温度范围与紧凑的封装设计,使其适合在多种环境条件下使用,并能与现代电子设备高度兼容。
作为一款高效能的瞬态电压抑制器,P4SMAJ10ADF-13 能够在瞬态电压事件发生时提供必要的保护,从而延长设备的使用寿命,减少故障和损坏的风险。其稳定的电气表现和优秀的物理特性,结合灵活的应用场景,赋予了该器件广泛的市场需求,是各类电子应用中不可或缺的保护元件。对于需要可靠电压保护的设计师与工程师而言,P4SMAJ10ADF-13 无疑是一个优选方案。