SIHD2N80E-GE3

产品概述：SIHD2N80E-GE3 N通道MOSFET

一、基本介绍

SIHD2N80E-GE3 是一款由知名品牌 VISHAY（威世）生产的高性能 N通道 MOSFET，具有高达800V的漏源电压（Vdss）和额定连续漏极电流为2.8A，采用D-PAK（TO-252AA）封装，适合多种应用场景，包括电源管理、开关电源、逆变器以及驱动电路等。

二、主要参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 800V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.8A（Tc）
• 驱动电压（Rds On）: 10V
• 导通电阻（最大值）: 2.75欧姆 @ 1A，10V
• 阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）: 19.6nC @ 10V
• 最大栅极电压（Vgs）: ±30V
• 输入电容（Ciss）: 315pF @ 100V
• 功率耗散（最大值）: 62.5W（Tc）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 封装类型: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

三、特性与应用

SIHD2N80E-GE3 的设计充分考虑了高电压及高功率应用的需求。其800V的漏源电压使其在各种高压电源设计中表现出色，适用于变换器、电机驱动和高频开关电源等应用。

该MOSFET在导通状态下具有相对较低的导通电阻（Rds On），为系统提供更高的效率，降低功耗。这对于需要长时间运行的电源管理系统尤为重要，因为较低的导通电阻能够减少发热，延长设备的使用寿命。

此外，SIHD2N80E-GE3 的栅极电荷（Qg）为19.6nC，表明其在快速开关应用中具备良好的动态性能。栅极电压可承受的±30V范围也为设计提供了更大的灵活性，便于与其他元件集成。

四、热管理

功率耗散的最大值为62.5W，这在设计中通常需考虑合适的散热解决方案，以确保器件在温度范围内正常工作。广泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）使得该MOSFET能够在极端环境下稳定工作，适用于航天、军事及工业控制等需要高可靠性的领域。

五、封装与兼容性

封装方面，D-PAK（TO-252AA）的尺寸紧凑，方便表面贴装，适合现代电子设备的小型化需求。同时，该封装的散热性能优越，能够有效管理大功率情况下的热量。

六、总结

VISHAY 的 SIHD2N80E-GE3 N通道 MOSFET 是一款高性能的场效应管，具有高电压和高电流能力，适用于多种高效能的电源和开关应用。其优越的电气特性及极好的散热能力使其成为电源管理、开关电源与电机驱动应用中的理想选择，为工程师在设计时提供了更多的灵活性和保障。通过合理的设计与应用，该MOSFET能够显著提升设备的整体效能与可靠性，助力各类创新产品的开发。