DDTA115GE-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA115GE-7-F

商品编码: BM0202394117
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-523
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.31
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.31
--
200+
¥0.2
--
1500+
¥0.174
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA115GE-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 发射极 (R2)100 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)82 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-523供应商器件封装SOT-523

DDTA115GE-7-F手册

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DDTA115GE-7-F概述

产品概述:DDTA115GE-7-F

概述

DDTA115GE-7-F是一款高效能的PNP型数字晶体管,由美台(DIODES)公司制造,专门设计用于多种电子应用,其中包括开关电路、放大器和其它需要可靠性和高增益的电子设备。该器件采用表面贴装型(SMD)SOT-523封装,方便在现代电子产品的小型化设计中使用。

基础参数

该PNP晶体管的主要参数如下:

  • 集电极电流 (Ic):最大值为100mA,适用于需要中等电流输送的电路。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大值为50V,确保在高电压环境下能够正常工作,增加了应用的灵活性。
  • 发射极电阻 (R2):100 kΩ,适合用作频率增益和带通滤波器中的电阻元件。
  • 直流电流增益 (hFE):最小值为82,尤其在Ic为5mA和Vce为5V时,这个增益值使其在低电流条件下依旧保持优良的放大能力。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):最大值为300mV,尤其在500µA和10mA时,非常适合开关电路应用,减少功耗和发热问题。
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为500nA,确保在关闭状态下几乎不消耗电流,从而提高了电源效率。
  • 跃迁频率:高达250MHz,使其在高频电路中表现优异,适用于射频应用和高速开关电路。
  • 功率额定值:最大功率为150mW,为小型电子产品提供了有效的热管理和散热能力。

应用场景

DDTA115GE-7-F器件在许多应用中表现卓越,特别是:

  1. 开关电路:由于其低饱和压及高电流增益,可用于高效的开关电源、信号选择器、灯光控制及电机驱动等场合。
  2. 放大器:在音频、视频放大器和高频放大器中,得益于其较高的增益和良好的频率响应,能够实现信号的有效放大。
  3. 数字电路:适用于构建逻辑门电路和其它数字电路,同时由于其小封装,使其在紧凑型电子设备中非常受欢迎。
  4. 传感器应用:在温度、压力及光线传感器中,可能被用作信号放大和条件处理,以确保信号的准确传输。

设计与集成

DDTA115GE-7-F采用SOT-523封装,大大降低了PCB面积的需求,简化了布局设计过程。同时,表面贴装设计使整个产品更具可靠性,符合自动化生产线的要求,适合现代大规模生产。

质量与可靠性

作为高品质的电子元器件,DDTA115GE-7-F在出厂前经历严格的质量测试,确保其在各种恶劣条件下的操作稳定性和长期可靠性。此外,该产品伴随着详尽的技术文档和应用指南,帮助工程师在设计过程中更有效地实施和集成。

结论

DDTA115GE-7-F是一款出色的PNP数字晶体管,具有广泛的电气参数和应用潜力,是现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是开关应用、信号放大还是数字电路,DDTA115GE-7-F提供了灵活性及可靠性,是工程师的理想选择。