晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 发射极 (R2) | 100 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 82 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-523 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
DDTA115GE-7-F是一款高效能的PNP型数字晶体管,由美台(DIODES)公司制造,专门设计用于多种电子应用,其中包括开关电路、放大器和其它需要可靠性和高增益的电子设备。该器件采用表面贴装型(SMD)SOT-523封装,方便在现代电子产品的小型化设计中使用。
该PNP晶体管的主要参数如下:
DDTA115GE-7-F器件在许多应用中表现卓越,特别是:
DDTA115GE-7-F采用SOT-523封装,大大降低了PCB面积的需求,简化了布局设计过程。同时,表面贴装设计使整个产品更具可靠性,符合自动化生产线的要求,适合现代大规模生产。
作为高品质的电子元器件,DDTA115GE-7-F在出厂前经历严格的质量测试,确保其在各种恶劣条件下的操作稳定性和长期可靠性。此外,该产品伴随着详尽的技术文档和应用指南,帮助工程师在设计过程中更有效地实施和集成。
DDTA115GE-7-F是一款出色的PNP数字晶体管,具有广泛的电气参数和应用潜力,是现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是开关应用、信号放大还是数字电路,DDTA115GE-7-F提供了灵活性及可靠性,是工程师的理想选择。