DDTC123TUA-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTC123TUA-7-F

商品编码: BM0202394112
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存 :
2888(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.325
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.325
--
200+
¥0.21
--
1500+
¥0.183
--
3000+
¥0.162
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC123TUA-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SOT-323

DDTC123TUA-7-F手册

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DDTC123TUA-7-F概述

产品概述:DDTC123TUA-7-F

一、基本信息

DDTC123TUA-7-F是一款具有高性能的NPN预偏置数字晶体管,适用于广泛的电子应用。这款器件由DIODES(美台)公司生产,封装形式为SOT-323(SC-70),便于表面贴装。它主要应用于开关电路和信号放大器等领域,以其卓越的性能和稳定性广受欢迎。

二、关键参数

  1. 晶体管类型:NPN-预偏置

    • 该晶体管设计用于高效的信号处理与开关操作,NPN配置能够有效控制电流流动。
  2. 电流 - 集电极(Ic):最大值100mA

    • 这意味着该器件可以承受高达100mA的集电极电流,非常适合各种低功耗应用。
  3. 电压 - 集射极击穿(最大值):50V

    • 其耐电压能力使其在高电压环境中也能稳定工作,提供更广泛的应用范围。
  4. 基极电阻(R1):2.2 kOhms

    • 该基极电阻值确保了在启用集电极电流时,基极信号能够有效驱动晶体管,提供可靠的切换操作。
  5. 直流电流增益(hFE):最小值100 @ 1mA,5V

    • 该晶体管在较小的电流条件下(1mA)仍能提供较高的增益,适用于弱信号放大。
  6. Vce饱和压降(最大值):300mV @ 500µA,5mA

    • 低饱和压降使得此器件在开关状态下更具能效,减少功耗和体积发热。
  7. 截止电流(最大值):500nA(ICBO)

    • 低截止电流保证了在关断状态下的极小泄漏,提升了电路的整体效能。
  8. 频率 - 跃迁:250MHz

    • 高达250MHz的频率使其在高频应用中表现优异,适合高速数据传输场合。
  9. 功率 - 最大值:200mW

    • 适合中小功率的应用场景,保证了器件在高负载情况下的稳定性。
  10. 尺寸与封装:SOT-323

    • 小型封装设计使其在布线密集的电路板上占用更少的空间,适合对空间要求较高的便携式设备。

三、应用场景

DDTC123TUA-7-F广泛应用于多种电子电路中,包括但不限于:

  • 开关电路:可用于驱动继电器、LED等负载,适合数字电路中的开关控制。
  • 信号放大器:在音频增强和通信设备中,用于放大微弱信号。
  • 高频应用:由于其高跃迁频率,适合于射频放大器及高频切换电路。
  • 低功耗设备:在便携式电子产品中,能够有效降低功耗,延长电池使用寿命。

四、总结

DDTC123TUA-7-F是一款高性能、低功耗的NPN预偏置数字晶体管,结合其卓越的电气特性与小巧的SOT-323封装,使其成为能够满足现代电子设计挑战的理想选择。它在多种应用场景中表现优异,广泛适用于开关和信号处理,尤其在对尺寸和效率有严格要求的设备中表现突出。其高增益、低饱和压降及广泛的工作频率范围,使其能够应对不同的设计需求,是选择高品质集成电路组件时的不二之选。