DMN63D1LV-13
DMN63D1LV-13参数
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 550mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.392nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 940mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
DMN63D1LV-13手册
DMN63D1LV-13概述
DMN63D1LV-13 产品概述
DMN63D1LV-13 是由DIODES（美台）生产的一款高性能场效应管（MOSFET），基于其卓越的电气特性和广泛的应用范围，成为电子设计中不可或缺的元器件之一。这款N-通道MOSFET专为满足现代电子设备对低功耗、高性能的要求而设计，适用于各种消费电子、工业控制及自动化设备。
基本参数
FET 类型：DMN63D1LV-13 是一款双N-通道MOSFET，具有两个独立的N沟道结构，这种设计能够有效地简化电路设计和减少元器件数量。
漏源电压 (Vdss)：该器件的漏源电压最高可达60V，使其能够在多种应用中提供足够的电压耐受能力，特别是针对电池供电和高电压应用场合。
连续漏极电流 (Id)：在25°C的工作环境下，DMN63D1LV-13 能够提供550mA的连续漏极电流，这使其适用于需要中等电流控制的许多领域。
导通电阻 (Rds(on))：对于电流为500mA且栅极电压为10V的情况下，该MOSFET的导通电阻最大值为2欧姆。这一特性有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th))：在1mA的电流下，DMN63D1LV-13的最大栅极阈值电压为2.5V，表明其在低电压驱动下亦可开关控制。
栅极电荷 (Qg)：在4.5V的栅极电压下，器件的栅极电荷最大值为0.392nC。这一特性决定了开关速度以及驱动电路的功耗。
输入电容 (Ciss)：在25V的漏源电压下，DMN63D1LV-13的输入电容最大值为30pF，表明其适合于高频应用场合。
功率最大值：该MOSFET的最大功率处理能力为940mW，可以满足多种功耗需求。
工作温度范围：此器件具有-55°C至150°C的广泛工作温度范围，适合在恶劣环境中稳定工作，确保了产品的可靠性。
封装方式：DMN63D1LV-13采用表面贴装型SOT-563封装，这种紧凑型封装便于自动化生产和高密度电路设计，同时有助于减小产品体积，提高组件集成度。
应用场景
广泛的技术特性使得DMN63D1LV-13可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源：能够在多种开关电压条件下高效工作，适合用于DC-DC转换器及其他电源管理应用。
- 电池管理系统：适用于移动设备及电动车辆的电池管理，有效控制充放电过程，保护电池安全。
- 负载开关：可用于控制电机、继电器和其他负载的开关，具有快速响应和高效率。
- 信号调理：适合用于音频和信号调理电路，为多种输入信号提供精准的控制。
总结
DMN63D1LV-13是一款功能强大、性能可靠的N-通道MOSFET产品，凭借其出色的电气特性和广泛的应用前景，为现代电子产品设计提供了理想的解决方案。其高效的开关性能和良好的热管理能力使其能够满足不同客户在功率和效率上的需求，适合多种消费级和工业级应用场景。无论是在价格、性能还是可靠性方面，DMN63D1LV-13都能够为您的电子设计提供强有力的支持。